[发明专利]基于NAND flash的读错误处理方法和装置

说明书

本发明实施例公开了一种基于NAND flash的读错误处理方法和装置，应用于NAND flash存储设备，所述NAND flash存储设备包括至少一个NAND flash单元，每个NAND flash单元包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页。所述方法包括：当目标数据块发生读错误时，记录发生读错误的数据页在目标数据块的位置；累加目标数据块的读错误页数，判断所述读错误页数是否超过预设阈值；当判断出所述读错误页数超过所述预设阈值时，将目标数据块标记为坏块。本发明实施例解决了现有技术中数据块因出现读错误而被标记为坏块所造成的存储空间浪费的问题。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种基于NAND flash的读错误处理方法和装置。

背景技术

NAND flash是Flash内存的一种，属于非易失性存储设备。

NAND flash在使用过程中，一些数据块会出现读错误。针对这种问题，通常的做法是将该块标记为坏块而不再使用。但是，NAND flash的一个数据块包含很多页存储空间，一个数据块中的某一存储位置出现错误，并不意味着该数据块的其他位置不可使用，因此，若将该数据块标记为坏块则会造成存储空间的浪费。

发明内容

本发明实施例提供一种基于NAND flash的读错误处理方法和装置，以解决现有技术中数据块因出现读错误而被标记为坏块所造成的存储空间浪费的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种基于NAND flash的读错误处理方法，应用于NAND flash存储设备，所述NAND flash存储设备包括至少一个NAND flash单元，每个NANDflash单元包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页，该方法包括：当目标数据块发生读错误时，记录发生读错误的数据页在目标数据块的位置；累加目标数据块的读错误页数，判断所述读错误页数是否超过预设阈值；当判断出所述读错误页数超过所述预设阈值时，将目标数据块标记为坏块。

进一步的，该方法还包括：当对目标数据块的数据页的写操作发生时，在所述位置对应的数据页中写入无效数据。

第二方面，本发明实施例提供了一种基于NAND flash的读错误处理装置，应用于NAND flash存储设备，所述NAND flash存储设备包括至少一个NAND flash单元，每个NANDflash单元包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页，该装置包括：位置记录模块，用于当目标数据块发生读错误时，记录发生读错误的数据页的位置；累加判断模块，用于累加目标数据块的读错误页数，判断所述读错误页数是否超过预设阈值；坏块标记模块，用于当累加判断模块判断出超过所述预设阈值时，将目标数据块标记为坏块。

进一步的，该装置还包括：无效数据写入模块，用于当对目标数据块的数据页的写操作发生时，在所述位置对应的数据页中写入无效数据。

本发明实施例通过对NAND flash存储设备中发生读错误的情况进行了处理，具体通过记录发生读错误的数据页在目标数据块的位置，并通过累加目标数据块的读错误页数来判断读错误的页数是否超过预设阈值，将读错误页数超过预设阈值的目标数据块标记为坏块，从而解决了数据块因出现读错误而被标记为坏块所造成的存储空间浪费的问题。

附图说明

图1是本发明实施例一中的一种基于NAND flash的读错误处理方法的流程图；

图2是本发明实施例二中的一种基于NAND flash的读错误处理方法的流程图；

图3是本发明实施例三中的一种基于NAND flash的读错误处理装置的结构示意图。

具体实施方式