[发明专利]一种光阻剂喷涂量的监测方法有效
| 申请号： | 201611124067.1 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108183077B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 袁立春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光阻剂喷涂量的监测方法。所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光阻剂 喷涂 监测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光阻剂喷涂量的监测方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
