[发明专利]一种光阻剂喷涂量的监测方法

说明书

本发明涉及一种光阻剂喷涂量的监测方法。所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种光阻剂喷涂量的监测方法。

背景技术

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对于其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。

在光刻过程中会利用各种光阻，随着聚酰胺(polymide)的产品越来越多，一些概率性比较低的情况也会随着发生。例如因为机台硬件(hardware)的问题导致喷出来的聚酰胺(polymide)的光阻不够而在晶圆上产生涂覆不够(poor coating)的情况，最终导致了很多产品的报废。

目前当下对于机台分配量(dispense volume)的检查，都是设备利用量筒或者量杯在机台工程师PM或者停机(down机)的状态下对于设备的一个检查，但是却没有正常的一个监测(monitor)方式。根据之前案件的经验，如果可以简单地对机台的喷涂量做到离线监测(offline monitor)，能够大大降低晶圆的报废的概率。

因此，有必要提出一种光阻剂喷涂量的监测方法，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明提供了一种光阻剂喷涂量的监测方法，所述方法包括：

提供晶圆；

在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；

对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；

对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；

根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。

可选地，所述晶圆的直径为200mm，离所述中心最近的所述第一标记与所述中心之间的距离和离所述中心最近的所述第二标记与所述中心之间的距离相差5mm。

可选地，所有所述第一标记关于所述中心对称设置，所有所述第二标记关于所述中心对称设置。

可选地，相邻的所述第一标记之间的距离相等，相邻的所述第二标记之间的距离相等。

可选地，相邻的所述第一标记之间的距离不大于10mm，相邻的所述第二标记之间的距离不大于10mm。

可选地，沿所述第一方向在距离所述晶圆中心分别为95mm、85mm、75mm、65mm、55mm、45mm、35mm、25mm和15mm的位置处设置所述第一标记。