[发明专利]提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构在审
| 申请号： | 201611123228.5 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108198878A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 罗朋朋;洪玮 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构，由衬底和吸收层自下至上组成，吸收层由三种不同边长的正方形纳米柱组成。本发明能够很好地提高VO2在红外波段对光的吸收效率，更有利于二氧化钒红外探测器的研究。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化钒 周期结构 光吸收 吸收层 红外探测器 红外波段 吸收效率 纳米柱 边长 衬底 研究 | ||
【主权项】：
1.一种提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构，其特征在于：由衬底和吸收层自下至上组成，吸收层由三种不同边长的正方形纳米柱组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
