[发明专利]提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构在审

专利信息
申请号: 201611123228.5 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN108198878A 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 罗朋朋;洪玮 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0352
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 王玮
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 二氧化钒 周期结构 光吸收 吸收层 红外探测器 红外波段 吸收效率 纳米柱 边长 衬底 研究
【权利要求书】:

1.一种提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构,其特征在于:由衬底和吸收层自下至上组成,吸收层由三种不同边长的正方形纳米柱组成。

2.根据权利要求1所述的提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构,其特征在于:所述衬底为VO2,厚度为100nm,尺寸为3um*3um。

3.根据权利要求1所述的提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构,其特征在于:所述吸收层为VO2,纳米柱的边长分别为1um、1/3um、1/9um,纳米柱的高度均为300nm。

4.根据权利要求1、2或3所述的提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构,其特征在于:所述3um*3um的衬底等分为9个正方形,边长为1um的纳米柱位于衬底正中央;1um的纳米柱周围的8个正方形均等分为9个第一正方形,边长为1/3um的纳米柱位于这8个正方形的正中央;1/3um的纳米柱周围的64个第一正方形均等分为9个第二正方形,边长为1/9um的纳米柱位于这64个第一正方形的正中央;边长为1um的纳米柱个数为1,边长为1/3um的纳米柱个数为8,边长为1/9um的纳米柱个数为64。

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