[发明专利]磁存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611122010.8 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107017337B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 金基雄;金柱显;朴容星;吴世忠;李俊明;林佑昶 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造磁存储器件的方法，该方法包括：在基板上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成隧道势垒层；以及在所述隧道势垒层上形成第二磁性层，其中所述隧道势垒层的形成包括：在所述第一磁性层上形成第一金属氧化物层；在所述第一金属氧化物层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属氧化物层；以及进行第一热处理工艺以氧化所述第一金属层的至少一部分。
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