[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611114618.6 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108172612B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 赵宇丹;霍雨佳;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一栅极，所述栅极设置于所述基底的一表面；一电介质层，所述电介质层设置于所述基底上且将所述栅极覆盖；一半导体层，所述半导体层设置于所述电介质层远离所述基底的表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置于所述电介质层远离所述基底的一侧，且分别与所述半导体层电连接；其中，所述电介质层为采用磁控溅射法制备的氧化物层，且与所述栅极直接接触。本发明的薄膜晶体管具有反常迟滞曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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