[发明专利]存储器件的写辅助电路及方法在审
| 申请号： | 201611114381.1 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107017013A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 辛达誉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种包括存储单元和写辅助电路的器件。存储单元包括第一反相器以及与第一反相器交叉耦合的第二反相器。写辅助电路连接至存储单元。在存储单元的写操作期间，写辅助电路经配置通过偏置电压差调节提供给第一反相器或第二反相器的操作电压的电压水平。本发明还提供一种方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 辅助 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：存储单元，包括第一反相器和与所述第一反相器交叉耦合的第二反相器；以及与所述存储单元耦合的写辅助电路，并且在所述存储单元的写操作期间，所述写辅助电路经配置将提供给所述第一反相器或所述第二反相器的至少一个操作电压的电压水平调节偏置电压差。
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