[发明专利]存储器件的写辅助电路及方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月28日提交的第62/271,960号的美国临时专利申请的优选权益，其全部公开内容以引用的方式结合在文中。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，涉及存储器件的写辅助电路及方法

背景技术

存储器是计算机内的一种重要组件，并且已经为不同的应用开发了诸多不同的存储结构。例如，存储结构包含动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、只读存储器(ROM)及闪速存储器等。SRAM单元的常规结构为六个晶体管(6T)单元。SRAM单元包含一对交叉耦合的反相器。SRAM单元可用于存储反相器之间的数字位数据。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种器件，包括：存储单元，包括第一反相器和与第一反相器交叉耦合的第二反相器；以及与存储单元耦合的写辅助电路，并且在存储单元的写操作期间，写辅助电路经配置将提供给第一反相器或第二反相器的至少一个操作电压的电压水平调节偏置电压差。

根据本发明的另一方面，提供一种方法，包括：在存储单元的写操作期间，调节至少一个操作电压的电压水平；以及在存储单元的写操作期间，为存储单元的第一反相器和第二反相器提供具有经调节的电压水平的操作电压。

根据本发明的又一方面，提供一种器件，包括：存储单元，包括第一反相器和与第一反相器交叉耦合的第二反相器，第一反相器包括第一P型晶体管和第一N型晶体管，第二反相器包括第二P型晶体管和第二N型晶体管，第一操作电压提供至第一P型晶体管，第二操作电压提供至第一N型晶体管，第三操作电压提供至第二P型晶体管，并且第四操作电压提供至第二N型晶体管；以及耦合至存储单元的写辅助电路，并且在存储单元的写操作期间，写辅助电路经配置调节第一操作电压、第二操作电压、第三操作电压和第四操作电压中的至少一个电压水平。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减小。

图1为例示根据本公开的一些实施例的存储器件的示意图。

图2A为例示根据本公开的一些实施例的在写操作期间的图1中的存储单元的信号和电压的示意图。

图2B为例示根据本公开的一些其他实施例的写操作期间的图1中的存储单元的信号和电压的波形示意图。

图3A为例示根据本公开的一些实施例的写操作期间的图1中的存储单元的信号和电压的波形示意图。

图3B为例示根据本公开的一些实施例的写操作期间的图1中的存储单元的信号和电压的波形示意图。

图4为例示根据本公开的实施例的控制方法的流程图。

具体实施方式

在以下描述中，呈现具体细节以提供本公开的实施例的详尽理解。然而。本领域中的普通技术人员将意识到，本公开可在没有一个或多个上述具体细节、或与其他部件组合的情况下实践。未对熟知实施或操作进行具体展示或描述，以避免使本发明的各个实施例的方面不清楚。

本说明书中使用的术语通常具有其在本领域中以及在使用每一个术语的具体的内容中的普通含义。本说明书中使用的实例，包括本文所讨论的任何术语的实例，仅是示例性的，并且绝不是限制本发明的或任何示例性术语的范围和意义。同样地，本发明不限于该说明书中给出的各个实施例。

应该理解，虽然此处可以使用第一、第二等术语描述各个元件，但是这些元件不应该由这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本发明的精神和范围的情况下，第一元件可以称为第二元件，并且，类似地，第二元件可以称为第一元件。如此处使用的，术语“和/或”包括一个或多个的有关的列出的物件的任何和全部组合。

如本文所使用的，术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”、“涉及”等应该理解为开放式的，即，表示包括但不限制。

在整个说明书中，参考“一个实施例”或“实施例”表示结合该实施例所描述的特别的部件、结构、实施方式或特征包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在整个说明书的多个地方中的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的使用没有必要均指的是相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式结合特别的部件、结构、实施方式或特征。