[发明专利]存储器件的写辅助电路及方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

存储单元，包括第一反相器和与所述第一反相器交叉耦合的第二反相器；以及

与所述存储单元耦合的写辅助电路，并且在所述存储单元的写操作期间，所述写辅助电路经配置将提供给所述第一反相器或所述第二反相器的至少一个操作电压的电压水平调节偏置电压差。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，第一操作电压提供给所述第一反相器，第二操作电压提供给所述第二反相器，并且在所述存储单元的所述写操作期间，所述写辅助电路经配置使所述第一操作电压和所述第二操作电压中的至少一个减小所述偏置电压差。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述写辅助电路经配置在将第一数据写入所述第一反相器的输出节点和所述第二反相器的输入节点的所述写操作期间减小所述第一操作电压，并且所述写辅助电路经配置在将第二数据写入所述第一反相器的所述输出节点和所述第二反相器的所述输入节点的所述写操作期间减小所述第二操作电压。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，第一操作电压提供给所述第一反相器，第二操作电压提供给所述第二反相器，并且在所述存储单元的所述写操作期间，所述写辅助电路经配置将所述第一操作电压和所述第二操作电压中的至少一个提高所述偏置电压差。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述写辅助电路经配置在将第一数据写入所述第一反相器的输出节点和所述第二反相器的输入节点的所述写操作期间提高所述第二操作电压，并且所述写辅助电路经配置在将第二数据写入所述第一反相器的所述输出节点和所述第二反相器的所述输入节点的所述写操作期间提高所述第一操作电压。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，第一操作电压信号提供给所述第一反相器，第二操作电压提供给所述第二反相器，并且在将第一数据写入所述第一反相器的输出节点和所述第二反相器的输入节点的所述写操作期间，所述写辅助电路经配置减小所述第一操作电压信号并且提高所述第二操作电压信号和第四操作电压信号。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，第三操作电压信号提供给所述第一反相器，第四操作电压信号提供给所述第二反相器，并且在将第二数据写入所述第一反相器的输出节点和所述第二反相器的输入节点的所述写操作期间，所述写辅助电路经配置减小所述第四操作电压信号并且提高所述第三操作电压信号。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述存储单元包括第一写晶体管和第二写晶体管，所述第一反相器的输出节点和所述第二反相器的输入节点通过所述第一写晶体管耦合至位线，所述第一反相器的输入节点和所述第二反相器的输出节点通过所述第二写晶体管耦合至互补位线。

9.一种方法，包括：

在存储单元的写操作期间，调节至少一个操作电压的电压水平；以及

在所述存储单元的所述写操作期间，为所述存储单元的第一反相器和第二反相器提供具有所述经调节的电压水平的所述操作电压。

10.一种器件，包括：

存储单元，包括第一反相器和与所述第一反相器交叉耦合的第二反相器，所述第一反相器包括第一P型晶体管和第一N型晶体管，所述第二反相器包括第二P型晶体管和第二N型晶体管，第一操作电压提供至所述第一P型晶体管，第二操作电压提供至所述第一N型晶体管，第三操作电压提供至所述第二P型晶体管，并且第四操作电压提供至所述第二N型晶体管；以及

耦合至所述存储单元的写辅助电路，并且在所述存储单元的写操作期间，所述写辅助电路经配置调节所述第一操作电压、所述第二操作电压、所述第三操作电压和所述第四操作电压中的至少一个电压水平。