[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201611108634.4 | 申请日: | 2016-12-06 |
公开(公告)号: | CN108063080B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 翁志强;蔡陈德;丁嘉仁;张瀛方 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | 一种等离子体处理装置,包含一上电极及一下电极,上电极包括多个凸柱及多个气孔,多个凸柱凸伸设置于上电极的一面且连接等离子体产生源,多个凸柱环绕一圆心形成多个圈,在每一圈设有至少一凸柱,每一凸柱为导电材质,在上电极设有凸柱面设有介电材质覆盖上电极及多个凸柱;多个气孔分布于多个凸柱之间并连接工艺气体源;下电极具有一承载面用以承载工件,承载面朝向上电极设有凸柱面,下电极为导电材质且其表面包覆有介电材质,下电极被驱动旋转。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其包含:/n一上电极,包括:/n多个凸柱,凸伸设置于该上电极的一面且连接等离子体产生源,该多个凸柱环绕一圆心形成多个圈,在每一圈设有至少一该凸柱,每一该凸柱为导电材质,该每一圈上的该凸柱所形成的圆环形轨迹的外缘与其相邻的圆环形轨迹的内缘至少相切,在该上电极设有该多个凸柱的面设有介电材质覆盖该上电极及该多个凸柱;/n多个气孔,分布于该多个凸柱之间,该多个气孔连接工艺气体源;以及/n一下电极,其具有一承载面用以承载工件,该承载面朝向该上电极设有该多个凸柱的面,该下电极为导电材质且其表面包覆有介电材质,该下电极接地且被驱动旋转。/n
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