[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其包含：

一上电极，包括：

多个凸柱，凸伸设置于该上电极的一面且连接等离子体产生源，该多个凸柱环绕一圆心形成多个圈，在每一圈设有至少一该凸柱，每一该凸柱为导电材质，该每一圈上的该凸柱所形成的圆环形轨迹的外缘与其相邻的圆环形轨迹的内缘至少相切，在该上电极设有该多个凸柱的面设有介电材质覆盖该上电极及该多个凸柱；

多个气孔，分布于该多个凸柱之间，该多个气孔连接工艺气体源；以及

一下电极，其具有一承载面用以承载工件，该承载面朝向该上电极设有该多个凸柱的面，该下电极为导电材质且其表面包覆有介电材质，该下电极接地且被驱动旋转。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中该多个圈的凸柱的圆环形轨迹形成一圆形涵盖范围。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中每一该凸柱为圆柱体，其轴向端部朝向该下电极。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其中该多个凸柱的直径具有至少一种尺寸。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中在相邻两该圈之间或在该每一圈上设有至少一气孔。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其中该上电极包括：

一座体，为导电材质，该多个凸柱设置于该座体的一面；

多个套件，为介电材质，每一该凸柱套设一该套件；

以及

一壳体，为介电材质，其相对应于该多个凸柱的位置设有多个第一孔洞，该座体设置于该壳体内，该套设有该套件的该多个凸柱由相对应的该多个第一孔洞凸伸于该壳体外，该多个气孔设置于该壳体。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其中该座体包括：

冷却流道，设置于该座体相对于设有该多个凸柱的面，该冷却流道具有一流入端以及一流出端；

第一盖板，为导电材质，设置于该座体相对于设有该多个凸柱的面，且覆盖于该冷却流道，该第一盖板设有一流体入口及一流体出口，冷却流体由该流体入口流入该流入端，再由该流出端经由流体出口流出该冷却流道。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其中该壳体具有一第二盖板，为介电材质，其设置于该壳体相对于设有该多个凸柱的面，且覆盖于该第一盖板。

9.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其中该座体在设有该多个凸柱的面设有一介电材质的隔片。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中该下电极的承载面设有多个抽气孔，用以吸附该工件使定位于该承载面。