[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，能够不使器件的抗折强度降低而将在分割预定线上层叠有层叠体的晶片分割成各个器件。一种晶片的加工方法包含如下的工序层叠体去除工序，沿着分割预定线隔着保护膜照射对于层叠体具有吸收性的波长的激光光线，通过烧蚀加工将层叠体去除；分割工序，对晶片施加外力并沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件；以及等离子蚀刻工序，在实施了层叠体去除工序之后或者在实施了分割工序之后，从晶片的正面侧提供等离子化后的蚀刻气体，将因该层叠体去除工序中的烧蚀加工而造成的损伤去除。

主权项

一种晶片的加工方法，将在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件并且在分割预定线上形成有层叠体的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；背面磨削工序，在实施了该保护部件粘贴工序之后，对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度；改质层形成工序，在实施了该背面磨削工序之后，从晶片的背面将聚光点定位在晶片的内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片支承工序，在实施了该改质层形成工序之后，借助粘合带将晶片的背面粘贴在具有对晶片进行收纳的开口的环状的框架的该开口中从而利用环状的框架对晶片进行支承，并且将晶片的正面上所粘贴的该保护部件剥离；保护膜形成工序，在实施了该晶片支承工序之后，在晶片的正面上覆盖水溶性树脂而形成保护膜；层叠体去除工序，在实施了该保护膜形成工序之后，隔着该保护膜而沿着分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的激光光线，通过烧蚀加工将分割预定线的该层叠体去除；分割工序，在实施了该层叠体去除工序之后，对晶片施加外力并沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片；保护膜去除工序，在实施了该分割工序之后，对晶片的正面进行清洗而将晶片的正面上所覆盖的该保护膜去除；以及等离子蚀刻工序，在实施了该层叠体去除工序之后或者在实施了该分割工序之后，从晶片的正面侧提供等离子化后的蚀刻气体，将因该层叠体去除工序中的烧蚀加工而造成的损伤去除。