[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，该晶片在正面上由形成为格子状的分割预定线划分出的多个区域内形成有器件。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面上由排列成格子状的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成IC、LSI等器件。并且，将半导体晶片沿着分割预定线切断，由此，对形成有器件的区域进行分割而制造出各个器件芯片。

作为沿着分割预定线将上述的半导体晶片等晶片分割的方法，实用化如下的被称为内部加工的激光加工方法：使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线并将聚光点定位在待分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。使用了该被称为内部加工的激光加工方法的分割方法是如下的技术：将聚光点定位在内部而从晶片的一个面侧照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改质层，并沿着因形成有该改质层而强度降低的分割预定线而施加外力，由此，使晶片断裂而分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1)。

另一方面，为了提高IC、LSI等半导体器件的处理能力，实用化通过功能层来形成半导体器件的方式的半导体晶片，该功能层是在硅等基板的正面上层叠的由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜和作为聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等聚合物膜的有机物类的膜构成的低介电常数绝缘体被膜(Low-k膜)。

这样，在晶片中，在硅等基板的正面上层叠有由Low-k膜构成的功能层，当在该晶片的内部沿着分割预定线形成改质层而施加外力时，存在如下问题：由于Low-k膜像云母那样非常脆，所以当将该Low-k膜剥离，该剥离一直达到器件而给器件造成致命的损伤。

并且，具有如下的晶片：在分割预定线之上局部形成有用于对器件的功能进行测试的被称为测试元件组(Test Element Group：TEG)的测试用的金属膜。当在这样的晶片的内部沿着分割预定线形成改质层而施加外力时，存在如下的问题：分割得到的器件因金属膜而连接从而不能分离成各个器件芯片。

为了消除上述的问题，提出了如下的加工方法：沿着分割预定线照射激光光线而将形成于分割预定线的Low-k膜或金属膜等层叠体通过烧蚀加工去除。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

然而，虽然当沿着分割预定线照射激光光线而将形成于分割预定线的层叠体通过烧蚀加工去除时能够消除上述的问题，但存在因由烧蚀加工产生的热应力、裂纹的残留而使器件的抗折强度降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法，能够不使器件的抗折强度降低而将在分割预定线上形成有层叠体的晶片分割成各个器件芯片。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，将在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件并且在分割预定线上形成有层叠体的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；背面磨削工序，在实施了该保护部件粘贴工序之后，对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度；改质层形成工序，在实施了该背面磨削工序之后，从晶片的背面将聚光点定位在晶片的内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片支承工序，在实施了该改质层形成工序之后，借助粘合带将晶片的背面粘贴在具有对晶片进行收纳的开口的环状的框架的该开口中从而利用环状的框架对晶片进行支承，并且将晶片的正面上所粘贴的该保护部件剥离；保护膜形成工序，在实施了该晶片支承工序之后，在晶片的正面上覆盖水溶性树脂而形成保护膜；层叠体去除工序，在实施了该保护膜形成工序之后，隔着该保护膜而沿着分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的激光光线，通过烧蚀加工将分割预定线的该层叠体去除；分割工序，在实施了该层叠体去除工序之后，对晶片施加外力并沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片；保护膜去除工序，在实施了该分割工序之后，对晶片的正面进行清洗而将晶片的正面上所覆盖的该保护膜去除；以及等离子蚀刻工序，在实施了该层叠体去除工序之后或者在实施了该分割工序之后，从晶片的正面侧提供等离子化后的蚀刻气体，将因该层叠体去除工序中的烧蚀加工而产生的损伤去除。