[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611096841.2 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN107017289A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 泽井敬一;渡边裕二 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在硅衬底的单面具有镍膜的半导体器件，该半导体器件的镍膜相对于硅衬底的密合性高。本发明的半导体器件(1)包括做进到硅衬底(10)的单面(10b)中的、含有V族元素作为杂质的杂质区域(12)；和在硅衬底(10)的单面(10b)上，以覆盖该杂质区域(12)的方式设置的镍膜(14)。该杂质区域(12)的V族元素与该镍膜(14)的镍元素化学键合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：做进到硅衬底的单面中的、含有V族元素作为杂质的杂质区域；和在所述硅衬底的所述单面上，以覆盖所述杂质区域的方式设置的镍膜，所述杂质区域的V族元素与所述镍膜的镍元素化学键合。
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