[发明专利]一种负载导电高分子氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法在审
申请号: | 201611096497.7 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106356197A | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 范磊;杨莉;徐祥东;徐志龙;郭荣 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | H01G11/30 | 分类号: | H01G11/30;H01G11/32;H01G11/86 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种负载导电高分子氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法,涉及超级电容器电极材料的制备技术领域,以明胶为碳/氮源,SiO2为模板,经明胶自组装,再经高温炭化,形成片层结构。用NaOH溶液将SiO2刻蚀除去,得到孔径均一的氮掺杂多孔碳片层材料。用水热法使2,5‑甲氧基‑1,4‑苯醌(DMQ)修饰到上述所制备材料表面。本发明制备出的电极材料具有较大比表面积和高氮掺杂量,同时还负载有高活性的芳香族氧化还原有机材料,多种因素协同作用得到高比电容,高能量密度和功率密度以及循环性能良好的碳材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 负载 导电 高分子 掺杂 多孔 碳片层 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种负载导电高分子氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)搅拌条件下,将明胶和SiO2分散于去离子水中,得到溶胶,将溶胶平铺于玻璃板上,经干燥后,自玻璃板上刮取膜制品;2)在氮气保护下,将膜制品置于真空管式炉中煅烧,制得SiO2/C片层状材料;3)将SiO2/C片层材料置于NaOH水溶液中浸泡后,洗涤至中性,再烘干,即得氮掺杂多孔碳片层材料;4)超声条件下,将氮掺杂多孔碳片层材料与2,5‑甲氧基‑1,4‑苯醌混合于去离子水中,然后在160±5℃条件下进行水热反应;反应结束后冷却至室温,取固相,以去离子水离心洗涤、烘干,既得负载导电高分子氮掺杂多孔碳片层材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学,未经扬州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611096497.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:格约减辅助广度优先树搜索MIMO检测方法
- 下一篇:一种下行预编码方法及基站