[发明专利]集成太阳能电池的OLED显示装置及其制造方法及OLED手表有效

专利信息
申请号: 201611086163.1 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106409878B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 韩丽;李瑶 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;G04G9/10
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 唐清凯
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种集成太阳能电池的OLED显示装置及其制造方法及OLED手表。所述集成太阳能电池的OLED显示装置包括OLED区域和太阳能电池区域,所述集成太阳能电池的OLED显示装置的制造方法中,OLED区域的TFT第一导电类型半导体太阳能电池区域的太阳能电池第一导电类型半导体,为第一导电类型的半导体材料层通过一道光刻和刻蚀工艺分别形成;OLED区域的OLED阴极和太阳能电池区域的太阳能电池第二极性电极,也为金属层通过一道光刻和刻蚀工艺分别形成。故可以分别减少一道光刻和刻蚀工艺及减少一块光刻版,从而节省制程时间及成本。
搜索关键词: 集成 太阳能电池 oled 显示装置 及其 制造 方法 手表
【主权项】:
1.一种集成太阳能电池的OLED显示装置的制造方法,其特征在于,所述集成太阳能电池的OLED显示装置包括OLED区域和太阳能电池区域,所述方法包括:提供具有相对的两面的基板,在所述基板的第一面的太阳能电池区域形成太阳能电池第一极性电极;在所述基板的第一面形成第一导电类型的半导体材料层,并通过光刻和刻蚀分别在所述OLED区域形成薄膜晶体管第一导电类型半导体,和在所述太阳能电池区域形成位于所述太阳能电池第一极性电极上的太阳能电池第一导电类型半导体;所述薄膜晶体管第一导电类型半导体作为薄膜晶体管的源极和漏极;在所述太阳能电池第一导电类型半导体上形成第二导电类型半导体材料层;所述第一导电类型和所述第二导电类型为相反的导电类型;在所述薄膜晶体管第一导电类型半导体上继续完成其余OLED结构的制备,并在所述第二导电类型半导体材料层上继续完成其余太阳能电池结构的制备,具体包括:在所述薄膜晶体管第一导电类型半导体上形成栅氧层,在所述栅氧层上形成金属栅极、同时作为电容的下极板,在所述金属栅极上形成第一绝缘层,在所述第一绝缘层上形成金属极板作为电容的上极板,在所述第一绝缘层和金属极板上形成第二绝缘层;刻蚀形成接触孔,包括形成所述薄膜晶体管的源极、漏极及所述金属栅极的接触孔,以及贯穿所述第二导电类型半导体材料层和太阳能电池第一导电类型半导体至所述太阳能电池第一极性电极的太阳能电池第一极性电极电源线接触孔;向各接触孔内填充金属,并在接触孔外形成连接各接触孔内金属的金属连线;在所述第二绝缘层上形成平坦化层;在所述平坦化层上形成ITO层作为OLED像素阳极,在所述ITO层上形成像素限定层,在所述像素限定层上形成像素支撑层;在所述ITO层上形成OLED有机层;在所述基板的第一面淀积金属,并通过光刻和刻蚀分别形成位于OLED有机层上的OLED阴极,和位于所述第二导电类型半导体材料层上的太阳能电池第二极性电极;所述第一极性和第二极性为相反的极性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611086163.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top