[发明专利]一种硅穿孔的制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种硅穿孔的制备方法，包括于经过图形化工艺的复合结构的上表面制备包括一通孔的具有低介电系数的一介质层；采用一第一温度电镀形成具有一第一厚度的一金属层以填充通孔并且覆盖介质层的上表面；部分去除金属层，使得金属层具有小于第一厚度的一第二厚度；采用高于第一温度的第二温度对金属层进行热退火工艺，使得金属层中的晶粒受热稳定；部分去除热退火后的金属层，以将介质层的上表面以及通孔内的金属层的上表面暴露；采用第二温度于暴露出的介质层以及金属层的上表面沉积一保护层，所形成的硅穿孔能够在介质层的通孔中形成稳定的金属层，从而避免在保护层表面形成凸起，以形成性能更为优良的硅穿孔。

主权项

一种硅穿孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一半导体复合结构；步骤S2，于所述半导体复合结构的上表面制备包括一通孔的具有低介电系数的一介质层；步骤S3，采用一第一温度电镀形成具有一第一厚度的一金属层以填充所述通孔并且覆盖所述介质层的上表面；步骤S4，部分去除所述金属层，使得所述金属层具有小于所述第一厚度的一第二厚度；步骤S5，采用高于所述第一温度的所述第二温度对所述金属层进行热退火工艺，使得所述金属层中的晶粒受热稳定；步骤S6，部分去除热退火后的所述金属层，以将所述介质层的上表面以及所述通孔内的所述金属层的上表面暴露；步骤S7，采用所述第二温度于暴露出的所述介质层以及所述金属层的上表面沉积一保护层。