[发明专利]一种大量程低误差CMOS温度传感器在审

专利信息
申请号: 201611084361.4 申请日: 2016-12-01
公开(公告)号: CN106482852A 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 东莞市维科应用统计研究所
主分类号: G01K7/01 分类号: G01K7/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523808 广东省东莞市松山湖*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种大量程低误差CMOS温度传感器,包括温度传感电路,将得到的温度信号转换为数字信号输出;后端Σ‑ΔADC电路,将温度传感器核心电路所产生的ΔVBE和VBE信号通过2阶积分器积分,最后通过量化器产生一串数字编码bs。测试结果表明,本发明的温度传感器工作温度范围为‑45℃‑125℃,测量精度为±1.5℃,扩大了温度传感器在各种场合的应用范围。
搜索关键词: 一种 量程 误差 cmos 温度传感器
【主权项】:
一种大量程低误差CMOS温度传感器,其特征在于包括:温度传感电路,将得到的温度信号转换为数字信号输出;后端Σ‑ΔADC电路,将温度传感器核心电路所产生的ΔVBE和VBE信号通过2阶积分器积分,最后通过量化器产生一串数字编码bs。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市维科应用统计研究所,未经东莞市维科应用统计研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611084361.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 过热检测器-201910593956.X
  • P.阿鲁娜萨拉姆;W.C.朗 - 浙江盾安禾田金属有限公司
  • 2013-03-15 - 2019-11-05 - G01K7/01
  • 一种过热检测器,包括:箱体;箱体内的印刷电路板(PCB);集成的压力和温度传感器,其包括压力传感器部分和温度传感器部分,其中所述集成的压力和温度传感器安装在印刷电路板上,使得所述集成的压力和温度传感器完全在箱体内;将所述集成的压力和温度传感器连接到过热流体源的流体通道;以及箱体内的处理器;其中所述集成的压力和温度传感器产生压力的电模拟。
  • 一种温度感测芯片系统-201910666030.9
  • 张国基;林聿中;王晓娟;朱凯莙;李岳龙;邹岦宸;宋天文;阮仲体 - 福建工程学院
  • 2019-07-23 - 2019-10-25 - G01K7/01
  • 本发明涉及芯片设计领域,具体涉及一种温度感测芯片系统。本发明是通过以下技术方案得以实现的:温度感测芯片,所述温度感测芯片包含MOS晶体管;信号放大及边缘计算芯片,所述信号放大及边缘计算芯片包含基因边缘计算模组,记忆单元,所述记忆单元包含专家资料库,电源模组,所述电源模组与所述信号放大及边缘计算芯片连接;输出入单元,所述信号放大及边缘计算芯片将所述基因边缘计算模组的优化最后撑过进行输出。本发明的目的是提供一种温度感测芯片系统,采用基因演算边缘技术,大幅降低工厂内有关温度运转的云计算复合,使得整体监控系统更为快速稳定。
  • 柔性薄膜传感器及检测装置-201920056338.7
  • 李哲;王子珩;张剑波 - 清华大学
  • 2019-01-14 - 2019-10-18 - G01K7/01
  • 本申请提供一种柔性薄膜传感器及检测装置。所述柔性薄膜传感器包括柔性电路板、温度感应端子和电位感应端子。所述柔性电路板上通过刻蚀技术剥离出检测电路。所述温度感应端子和所述电位感应端子固定设置于所述柔性电路板上的不同位置。由于所述检测电路集成在所述柔性电路板上,在测量过程中不需要导线连接,因此解决了过多的导线导致的被测物体不易封装的问题。此外,所述柔性电路板为薄形板,在所述被测物体内部容易固定,有效解决了测量点因尺寸较小不易固定的问题。
  • 一种温度检测电路-201920364482.7
  • 吕英杰 - 天津鹏翔华夏科技有限公司
  • 2019-03-21 - 2019-10-18 - G01K7/01
  • 本实用新型公开了一种温度检测电路,包括恒流源模块,恒流源模块的输入端与模拟电源输出端连接;温度传感器阵列,温度传感器阵列的输入端与恒流源模块的输出端连接;开关阵列,开关阵列的输入端与温度传感器阵列的输出端连接;电平转换电路,电平转换电路的输出端与开关阵列的控制端连接;电平转换电路的输入端与逻辑控制输出端连接;温度检测输出端与开关阵列的输出端连接。本实用新型针对现有的芯片因温度过高而损坏的问题进行改进。本实用新型具有电路结构简单、精度高、功耗低和适于集成在电源管理芯片等的优点。
  • 高精度温度传感器及精度调节方法-201711202272.X
  • 陈卢;张驰 - 电子科技大学;重庆纳尔利科技有限公司
  • 2017-11-27 - 2019-10-11 - G01K7/01
  • 一种高精度温度传感器,包括第一MOS管201、MOS管组202、第二MOS管203、第三MOS管204、第一双极晶体管205和第二双极晶体管206、运算放大器208、补偿电路207和ADC109,MOS管组202包括n个串联的MOS管组成,MOS管组202内的MOS管参数与第一MOS管201的参数相同;第一MOS管201的漏级与第三MOS管204的源级相连,第三MOS管204的漏级与第一双极晶体管205的发射极相连,第一双极晶体管205集电极接地。通过增加额外的一阶补偿电路,减弱由于基准电压非理想导致的误差,进而实现更高精度的温度传感器:同时提出如何调整基准使温度传感器的精度更高。
  • 用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置-201580011965.3
  • 曾克秋;T·王;K·塞南 - 皇家飞利浦有限公司
  • 2015-03-03 - 2019-10-11 - G01K7/01
  • 提供了一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置。用于计算RF功率MOSFET的结温的方法包括以下步骤:在模拟域中建立RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型;使用双线性变换来计算瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数;基于瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数,利用采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立结温补偿模型;并且通过向结温补偿模型输入实际输入来计算RF功率MOSFET的结温。本发明改进了在确定RF功率MOSFET结温中的准确性。
  • 具有远程和本地测温功能的数字温度传感器电路-201822012069.2
  • 张可;尹自强;肖峰;付文婷 - 中国电子科技集团公司第四十七研究所
  • 2018-12-03 - 2019-09-27 - G01K7/01
  • 本实用新型涉及一种具有远程和本地测温功能的数字温度传感器电路,该电路具有6个I/O端口,端口1连接远程三极管基极或二极管阳极,端口2连接远程三极管发射极或二极管阴极,端口3是GND端口,端口4是串行数据输入/输出端口,端口5是串行数据的时钟输入端口,端口6是测温电路的电源供电端口。数字温度传感器电路包括I2C串行数据接口、寄存器组、控制逻辑、振荡器、多路选择器、基准电压、Σ‑Δ调制器、数字滤波器等单元。本实用新型用BiCMOS集成电路工艺实现,可测量远程分立器件三极管、二极管,也可测量远程具有集成三极管的微处理器、FPGA等SoC芯片。本实用新型具有远程串联阻抗消除特点;具有两线制I2C接口,便于用户进行读、写操作。
  • 一种高灵敏度的CMOS感温电路及温度传感器-201910631170.2
  • 何洪楷;郭擎;丁志春;罗轶洲;其他发明人请求不公开姓名 - 广州芯世物科技有限公司
  • 2019-07-12 - 2019-09-24 - G01K7/01
  • 本发明公开了一种高灵敏度的CMOS感温电路及温度传感器及射频识别标签,包括:ICTAT电流产生电路、IPTAT电流产生电路、分段补偿电路、VPTAT及基准电压产生电路和负反馈电路;本发明为了提高集成于RFID标签芯片的温度传感器的温度灵敏度,感温电路采用纵向寄生PNP晶体管作为感温器件,分别得到了IPTAT电流产生电路、ICTAT电流产生电路以及分段补偿电路,最终产生了基准电压和VPTAT电压,为了提高电源抑制比,在电源和核心电路之间采用负反馈结构,同时为了减小不同工艺的误差,提高电路可靠性,采用可编程电阻对VPTAT电压进行片外补偿。
  • 温度传感器、显示面板和显示装置-201710443333.5
  • 赵利军;刘英明;王海生;郑智仁;王鹏鹏;吴俊纬 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-06-13 - 2019-09-20 - G01K7/01
  • 本发明公开了一种温度传感器、显示面板和显示装置,属于传感器领域。温度传感器包括n级反相器,n级反相器中的第k级反相器的输入端与第k‑1级反相器的输出端连接,第k级反相器的输出端与第k+1级反相器的输入端连接,第n级反相器的输出端与第1级反相器的输入端连接,其中,n为大于或等于1的奇数,k为大于1小于n的正整数;每级反相器包括串联的第一薄膜晶体管TFT和第二TFT,第二TFT处于常开状态,第一TFT的开闭状态由反相器输入的信号决定,第一TFT的有源层的迁移率大于第二TFT的有源层的迁移率。本发明提供的温度传感器可以由显示面板中的TFT组成,从而使得温度传感器可以集成于显示面板内,提高了温度传感器测量的准确性。
  • 温度检测装置以及温度检测方法-201611059333.7
  • 李申;刘中鼎 - 北京兆芯电子科技有限公司
  • 2016-11-25 - 2019-09-17 - G01K7/01
  • 温度检测装置以及温度检测方法。该温度检测装置包括:第一二极管、第二二极管、电流源、模拟数字转换器、数字计算器以及电压温度转换器。电流源选择性地输出直流电流至第一二极管以及第二二极管而分别产生第一电压以及第二电压。模拟数字转换器根据参考电压,将第一电压转换成第一数字信号,将第二电压转换成第二数字信号。数字计算器利用第一数字信号以及第二数字信号而计算商数,其中商数为第一电压以及第二电压的差与第二电压的比值。电压温度转换器根据商数,产生温度读数。
  • 一种芯片温度检测电路和音频功率放大器-201910276107.1
  • 周佳宁;张海军;杜黎明;孙洪军 - 上海艾为电子技术股份有限公司
  • 2019-04-08 - 2019-07-30 - G01K7/01
  • 本发明提供了一种芯片温度检测电路和音频功率放大器,包括温度采样单元、第一控制单元、第一缓冲单元、第二缓冲单元、第二控制单元和比较放大单元,从而可以通过温度采样单元、缓冲单元和比较放大单元获得温度采样电压,以根据温度采样电压获得芯片的温度,消除温度变化对喇叭电流检测的影响;通过在第一状态下和第二状态下交替运行的第一控制单元和第二控制单元,消除缓冲单元的工艺偏差产生的失调电压对温度采样电压的影响,提高芯片温度检测结果的准确度。
  • 一种温度传感器电路-201710678504.2
  • 何有志;邢巍 - 深圳市赛元微电子有限公司
  • 2017-08-10 - 2019-07-16 - G01K7/01
  • 本发明涉及电子技术领域,提供了一种温度传感器电路,该温度传感器电路包括信号模块、平衡模块、比较模块和处理模块,信号模块包括第一、第二电流和第一、第二三极管以及第一、第二三极管分别产生的第一、第二结电压;平衡模块包括受时钟控制的开关电容电路,开关电容电路包括第一、第二、第三开关和第一、第二电容以及比较模块控制的放电电流;比较模块包括比较器和锁存器;处理模块处理比较器输出的信号并产生代表温度的输出码,藉由前述构造解决了高精度、低压和低功耗技术问题,达成了简单、性能可靠及降低成本的效果。
  • 球磨机的实时温度监测控制系统-201821782168.2
  • 严明亮 - 浙江联诚氨基材料有限公司
  • 2018-10-31 - 2019-07-09 - G01K7/01
  • 球磨机的实时温度监测控制系统,包括安装在筒体上,对筒体温度进行实时监测的温度采集模块以及对数据进行智能分析和处理的控制模块,所述温度监测控制系统还包括安装在筒体上的转动摩擦信号传输装置以及向筒体内注入液体介质的供液系统,该转动摩擦信号传输装置上设置有一块摩擦片,所述温度采集模块依次通过转动摩擦信号传输装置及摩擦片后与控制模块模块电性连接,所述供液系统与控制模块电性连接,所述控制模块与电源电性连接,它具有结构简单,操作简便,可有效对球磨机内的温度进行实时监测及控制等特点。
  • 球磨机的温度监测装置-201821783320.9
  • 严明亮 - 浙江联诚氨基材料有限公司
  • 2018-10-31 - 2019-07-09 - G01K7/01
  • 球磨机的温度监测装置,包括安装在筒体上,对筒体温度进行实时监测的温度采集模块以及对数据进行智能分析和处理的控制模块,所述温度监测装置还包括安装在筒体上的温度显示器、高温报警装置、转动摩擦信号传输装置以及向筒体内注入液体介质的供液系统,该转动摩擦信号传输装置上设置有一块摩擦片,所述温度采集模块依次通过转动摩擦信号传输装置及摩擦片后与控制模块模块电性连接,所述供液系统与控制模块电性连接,所述控制模块与电源电性连接,所述温度显示器及高温报警装置分别与温度监测装置连接;所述温度采集模块由一块片状的矩形热电材料独立组成,该矩形热电材料的一侧接触筒体表面,另一侧做散热处理。
  • 温度传感器、传感器装置及制造方法-201510744652.0
  • R·菲克斯;C·V·J·切比亚托夫斯基 - 罗伯特·博世有限公司
  • 2015-11-04 - 2019-07-05 - G01K7/01
  • 本发明公开一种温度传感器,其具有正的供电连接端和负的供电连接端,具有至少两个在正的供电连接端和负的供电连接端之间在电方面以导通方向串联地布置二极管,具有布置在至少两个二极管之间的测量连接端,具有可控制的电流源,所述可控制的电流源与测量连接端耦合并构造用于在测量连接端上施加正电流和负电流,以及具有分析处理装置,所述分析处理装置构造用于,对于电流源的正电流并且对于电流源的负电流检测所述测量连接端上的电压并且根据所检测的电压计算温度。此外,本发明公开一种传感器装置和一种制造方法。
  • 一种温度传感器及其温度检测方法-201710595936.7
  • 赵利军 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-07-20 - 2019-07-05 - G01K7/01
  • 本发明公开一种温度传感器及其温度检测方法,涉及传感器技术领域,为解决现有的温度传感器不能够准确测量温度的问题。所述温度传感器包括:振荡电路、开关电路、第一充放电电路、感测晶体管、第二充放电电路和补偿控制电路;其中补偿控制电路分别与所述第二充放电电路的第二端、调节电压输入端和第一控制信号输入端连接,用于在温度检测阶段中的充电时段,在所述第一控制信号输入端的控制下,控制所述调节电压输入端与所述第二充放电电路的第二端不连接;用于在温度检测阶段中的放电时段,在所述第一控制信号输入端的控制下,控制所述调节电压输入端与所述第二充放电电路的第二端连接。本发明提供的温度传感器用于感测温度。
  • 低功率低成本温度传感器-201580030369.X
  • J·张;C·张;N·陈 - 高通股份有限公司
  • 2015-05-18 - 2019-07-02 - G01K7/01
  • 本文中描述了用于感测芯片上的温度的系统和方法。在一个实施例中,温度传感器包括具有栅极的第一晶体管,具有耦合到该第一晶体管的栅极的栅极的第二晶体管,以及偏置电路,该偏置电路配置成偏置该第一和第二晶体管的栅极,以使得该第一和第二晶体管在亚阈值区中操作,以及配置成生成与该第一晶体管的栅极到源极电压和该第二晶体管的栅极到源极电压之间的差异成正比的电流。该温度传感器还包括配置成将该电流转换成数字温度读数的模数转换器(ADC)。
  • 一种低功耗的易于集成的数字温度传感器电路结构-201811564574.6
  • 彭艺;章国豪;刘祖华 - 佛山臻智微芯科技有限公司
  • 2018-12-20 - 2019-06-14 - G01K7/01
  • 本发明提出一种低功耗的易于集成的数字温度传感器电路结构,目的在于提出一种更小型化,更低功耗,更易于集成的一款温度传感器电路结构。由温度检测电路、电压转换电路、数字显示电路三部分构成。通过两个pmos串联来提供偏置电压,使的电流管工作在亚阈值区域。随后通过不同阈值的反相器将电流的大小转换成PW的脉冲宽度,最后通过时钟信号与计数器的结合,将PW脉冲宽度转换为数字信号。
  • 一种温度测量装置及测量方法-201910260823.0
  • 刘召军;刘弈镈;张珂;闫思吴 - 深圳市思坦科技有限公司
  • 2019-04-02 - 2019-06-07 - G01K7/01
  • 本发明实施例公开了一种温度测量装置及测量方法。其中温度测量装置包括恒压电路、Micro‑LED以及电流检测电路;恒压电路与Micro‑LED电连接,用于向Micro‑LED输入恒定的反向电压,其中,反向电压大于Micro‑LED的反向饱和电压;电流检测电路与Micro‑LED电连接,用于测量流过Micro‑LED的电流,并输出检测温度。本发明实施例的技术方案,解决温度测量的问题,实现快速高精度的温度测量。
  • 一种温度测量装置及测量方法-201910261701.3
  • 刘召军;刘弈镈;张珂;闫思吴 - 深圳市思坦科技有限公司
  • 2019-04-02 - 2019-06-07 - G01K7/01
  • 本发明实施例公开了一种温度测量装置及测量方法。其中温度测量装置包括恒流电路、Micro‑LED以及电压检测电路;恒流电路与Micro‑LED电连接,用于向Micro‑LED输入恒定的第一电流,其中,第一电流小于Micro‑LED发光时的电流阈值;电压检测电路与Micro‑LED电连接,用于测量Micro‑LED的两个电极之间的电压,并输出检测温度。本发明实施例的技术方案,解决温度测量的问题,实现快速高精度的温度测量。
  • 一种感温电路及温度传感器-201310459969.0
  • 操礼程;张小斌 - 中兴通讯股份有限公司
  • 2013-09-29 - 2019-05-31 - G01K7/01
  • 本发明提供了一种感温电路及温度传感器,该感温电路包括第一支路和第二支路,第一支路和第二支路各设置有至少一个采样点,采样点用于输出电压信号,两个电压信号的差值用于表征感温电路所处环境的温度;该温度传感器包括用于根据温度传感器所处环境的温度产生并输出电压信号的感温电路,用于将电压信号转换为数字信号的ADC转换模块,及用于对ADC转换模块输出的数字信号进行处理,并输出温度值的处理模块。通过本发明的实施,对感温电路的输出信号进行改进,增大其输出的模拟信号的强度,省去了数字电路部分的放大器,解决了现有技术需要在温度传感器的数字电路部分设置放大器的问题。
  • 一种外接式矿用机械自动监测与保护系统-201710303953.9
  • 靳昊;李永治;方中纯;许剑轶;张永杰;靳武 - 靳昊
  • 2017-05-03 - 2019-05-31 - G01K7/01
  • 本发明涉及一种外接式矿用机械自动监测与保护系统,包括:温度采集模块、用以接收温度采集模块所采集温度信号的电压采集模块、以及智能分析与控制模块,其中电压采集模块将温度采集模块测得的数据传输给智能分析模块与控制模块,智能分析与控制模块对数据进行相应的补偿与修正,并通过电压‑温差函数关系计算出相对应的器件表面温度,再根据内部对外部的热传递推测机械内部温度,对机械运行状况进行判断。该控制系统独立于原本的电气系统,适配性高,可根本上解决“油改电”之后原机械保护系统失效的问题,另外该系统能够实现对数据的智能分析与对控制模块的指令控制,程序化执行而非单一软件,使之具有很强的兼容性,方便个性化设置。
  • 温度检测模块、温度监控电路以及功率芯片-201811640622.5
  • 彭宜建;程宇;刘振国 - 杭州士兰微电子股份有限公司
  • 2018-12-29 - 2019-05-17 - G01K7/01
  • 本申请公开了温度检测模块、温度监控电路以及功率芯片。该温度检测模块,包括:级联的至少两个电流镜,所述至少两个电流镜中的第一级电流镜接收参考电流,最后级电流镜提供与所述参考电流成放大倍数的驱动电流;以及串联连接的至少一个双极晶体管,与所述至少两个电流镜中的最后级电流镜的输出端相连接,并且各自的基极集电极短接以连接成二极管形式,其中,在所述最后级电流镜的输出端提供检测信号,所述检测信号采用所述至少一个双极晶体管的基极发射极电压表征温度信息。该温度检测模块采用双极型晶体管作为敏感元件,因此可以集成于芯片中。
  • 基于MOSFET器件界面陷阱复合效应的温度测量方法-201811602848.6
  • 陈海峰 - 西安邮电大学
  • 2018-12-26 - 2019-04-30 - G01K7/01
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法,包括:测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当复合中心时在漏极产生的复合电流的极值;根据复合电流的极值在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度。依据本申请的基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法,由于在漏极电压Vd的作用下使得PN结正偏且MOSFET的源极悬浮时,此时栅极电压Vg使得栅底下的沟道进入到耗尽状态,此时MOSFET界面陷阱充当复合中心时在漏极产生复合电流Ir由于增加了exp[Vd/Vt]指数项,因此在采用栅极电压Vg进行扫描过程中Ir变化更加明显,因此Ir对温度的变化异常敏感因此更易探测出温度的变化,同时探测范围大。
  • 柔性薄膜传感器及检测装置-201910033255.0
  • 李哲;王子珩;张剑波 - 清华大学
  • 2019-01-14 - 2019-04-19 - G01K7/01
  • 本申请提供一种柔性薄膜传感器及检测装置。所述柔性薄膜传感器包括柔性电路板、温度感应端子和电位感应端子。所述柔性电路板上通过刻蚀技术剥离出检测电路。所述温度感应端子和所述电位感应端子固定设置于所述柔性电路板上的不同位置。由于所述检测电路集成在所述柔性电路板上,在测量过程中不需要导线连接,因此解决了过多的导线导致的被测物体不易封装的问题。此外,所述柔性电路板为薄形板,在所述被测物体内部容易固定,有效解决了测量点因尺寸较小不易固定的问题。
  • 一种温度检测电路-201811293993.0
  • 不公告发明人 - 珠海亿智电子科技有限公司
  • 2018-11-01 - 2019-04-12 - G01K7/01
  • 本发明公开了一种温度检测电路,采用电流偏置模块提供两路大小相同的偏置电流和一路与所述偏置电流大小相同的镜像电流给温度检测模块,两路大小相同的偏置电流分别流过第一三极管和第二三极管,得到一个温度系数恒定的电压VBE1‑VBE2,并用该电压除以第一电阻得到偏置电流,该偏置电流的镜像电流流经第二电阻,从而可得温度系数与第二电阻和第一电阻的比值成正比的输出电压,该输出电压消除了电阻的阻值受温度而带来的影响,该输出电压不仅与电阻的温度系数无关,而且恒定不变;而且通过合理选择第二电阻和第一电阻的比值以及第一三极管和第二三极管的面积比,可以获得较高温度系数,具有更高精度的检测效果。
  • 一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法-201811602863.0
  • 陈海峰 - 西安邮电大学
  • 2018-12-26 - 2019-04-02 - G01K7/01
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法,包括:测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax;根据最大电流Igemax在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度。依据本申请的基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法,由于在漏极电压Vd的作用下使得PN结反偏且MOSFET的源极悬浮时,此时栅极电压Vg使得栅底下的沟道进入到耗尽状态,此时MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的电流Ige非常小,因此Ige对温度的变化异常敏感因此更易探测出温度的变化,同时探测范围大,经过测试可以探测到250K~400K的温度范围;另外,在进行温度测试时由于是直流测试,因此具有对器件要求较低。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top