[发明专利]一种发光效率高的LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201611081930.X | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106784176B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王海燕 | 申请（专利权）人： | 广州市奥彩光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人： | 宋林清 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光效率高的LED芯片及其制作方法，该LED芯片，包括：衬底，所述衬底上自下而上依次形成的外延层、电流阻挡层、透明导电膜以及P电极，所述外延层包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述电流阻挡层中有通孔，所述通孔中填充电导率低于透明导电膜的导电介质夹层，所述电流阻挡层与P型半导体层之间形成电导率大于P型半导体层的电流扩散薄层，所述电流扩散薄层被所述电流阻挡层以及所述导电介质夹层覆盖。本发明使得电流阻挡层下方的有源区可被利用，进而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 效率 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光效率高的LED芯片，包括：衬底，所述衬底上自下而上依次形成的外延层、电流阻挡层、透明导电膜以及P电极，所述外延层包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述P型半导体层边缘刻蚀至露出所述N型半导体层，N电极形成在露出的N型半导体层上，其特征在于：所述电流阻挡层中有通孔，所述通孔中填充电导率低于透明导电膜的导电介质夹层，所述电流阻挡层与P型半导体层之间形成电导率大于P型半导体层的电流扩散薄层，所述电流扩散薄层被所述电流阻挡层以及所述导电介质夹层覆盖；所述透明导电膜覆盖所述电流阻挡层以及所述导电介质夹层；所述导电介质夹层连接所述透明导电膜和所述电流扩散薄层。
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