[发明专利]一种发光效率高的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光效率高的LED芯片，包括：衬底，所述衬底上自下而上依次形成的外延层、电流阻挡层、透明导电膜以及P电极，所述外延层包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述P型半导体层边缘刻蚀至露出所述N型半导体层，N电极形成在露出的N型半导体层上，其特征在于：所述电流阻挡层中有通孔，所述通孔中填充电导率低于透明导电膜的导电介质夹层，所述电流阻挡层与P型半导体层之间形成电导率大于P型半导体层的电流扩散薄层，所述电流扩散薄层被所述电流阻挡层以及所述导电介质夹层覆盖；

所述透明导电膜覆盖所述电流阻挡层以及所述导电介质夹层；所述导电介质夹层连接所述透明导电膜和所述电流扩散薄层。

2.如权利要求1所述的发光效率高的LED芯片，其特征在于：所述通孔形成在电流阻挡层的中央。

3.如权利要求1所述的发光效率高的LED芯片，其特征在于：所述电流扩散薄层材料具有高的反射率。

4.如权利要求3所述的发光效率高的LED芯片，其特征在于：所述电流扩散薄层材料为铝或银。

5.如权利要求1所述的发光效率高的LED芯片，其特征在于：所述电流扩散薄层与所述P电极投影重合。

6.如权利要求1所述的发光效率高的LED芯片，其特征在于：所述N型半导体层为N型GaN，所述发光层为In掺杂的GaN，所述P型半导体层为P型GaN。

7.一种发光效率高的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在衬底上自下而上依次外延生长缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层以获得外延片；

(2)蚀刻所述P型半导体层边缘至露出所述N型半导体层；

(3)在所述P型半导体层表面形成电流扩散薄层以及电流阻挡层，所述电流阻挡层中有通孔，所述通孔中填充电导率低于透明导电膜的导电介质夹层；所述电流扩散薄层被所述电流阻挡层以及所述导电介质夹层覆盖；所述电流扩散薄层的电导率大于所述P 型半导体层；

(4)在所述电流阻挡层以及未被电流阻挡层覆盖的P型半导体层表面形成透明导电膜；所述导电介质夹层连接所述透明导电膜和所述电流扩散薄层；

(5)在透明导电膜上形成P电极，在露出的N型半导体层上形成N电极。

8.如权利要求7所述的发光效率高的LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤(3)具体过程为首先沉积一层电流扩散薄层，然后沉积一层电流阻挡层，刻蚀所述电流阻挡层形成通孔，在所述通孔中沉积导电介质夹层。

9.如权利要求7所述的发光效率高的LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤(3)具体过程为首先沉积一层电流扩散薄层，然后沉积一层导电介质夹层，刻蚀所述导电介质夹层，沉积电流阻挡层覆盖电流扩散薄层，并且包围导电介质夹层。

10.如权利要求7所述的发光效率高的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述电流扩散薄层与所述导电介质夹层材料相同，步骤(3)电流扩散薄层与导电介质夹层同一步沉积，然后刻蚀并沉积电流阻挡层。