[发明专利]一种扩散片退火工艺有效
| 申请号： | 201611073147.9 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122741B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周炯;李志丹;张俊 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扩散片退火工艺，首先选择厚度范围为150～200μm的扩散片作为衬底，通过表面清洗并注入N型离子，经炉管完全退火形成一定的扩散注入曲线，推结形成第一缓冲层；其次在扩散片正面依次完成N‑衬底层和正面金属层；再次将扩散片翻转180度，对扩散片背面进行研磨至设定厚度，再进行表面抛光处理和表面化学修复；然后依次进行N型离子掺杂和P型离子掺杂注入和至少一次的激光退火制程，形成第二缓冲层和P层；最后经过背金工艺完成扩散片背面金属层。本发明将扩散片与激光退火工艺优势互补，不仅满足了FS‑IGBT背面工艺的薄片需求，获得相似地电性能参数，同时简化了工艺流程，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种扩散片退火工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1:选择厚度范围为150～200μm的扩散片作为衬底，通过表面清洗并注入N型离子，经炉管完全退火形成扩散注入曲线，推结形成第一缓冲层；S2:在扩散片正面依次形成N‑衬底层和正面金属层；S3:将扩散片翻转180度，对扩散片背面进行研磨至设定厚度，再进行表面抛光处理和表面化学修复；S4:在扩散片背面依次进行N型离子掺杂和P型离子掺杂和至少一次的激光退火制程，形成第二缓冲层和P层；S5:经过背金工艺完成背面金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
