[发明专利]高速光电探测器芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种高速光电探测器芯片的制作方法，涉及半导体器件技术领域。本发明芯片包括衬底和外延层，外延层为探测器有源层，衬底背面设有曲面反射镜。本发明制作方法包括在衬底上生长外延层，外延层结构为探测器有源层；采用光刻、腐蚀工艺去掉光敏区外延层四周边沿；采用光刻、蒸发、溅射、电镀在衬底上制成N电极，在探测器有源层上制成P电极，采用淀积工艺制成光敏面增透膜；将衬底背面减薄并抛光，在衬底背面制作出曲面反射镜；采用蒸发、溅射在曲面反射镜外表面制作薄膜反射层，曲面的拱顶高于衬底背面。利用本发明的制备方法制备的芯片具有高带宽、高响应度、高灵敏度、结构简单的优点，能够解决现有技术中存在的缺点。

主权项

一种高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底(1)上生长外延层，外延层结构为探测器有源层(5)；采用光刻、腐蚀工艺去掉探测器有源层(5)光敏区外延层四周边沿；采用光刻、蒸发、溅射、电镀在衬底(1)上制成N电极(7)，在探测器有源层(5)上制成P电极(6)，采用淀积工艺在探测器有源层(5)上面制成光敏面增透膜；将衬底(1)背面减薄并抛光后，通过光刻、刻蚀在衬底(1)背面制作出曲面反射镜(8)；采用蒸发、溅射在曲面反射镜(8)外表面制作宽谱高反射率反射层，曲面的拱顶高于衬底(1)背面。