[发明专利]高速光电探测器芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201611065634.0 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106356416B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 赵润;尹顺政;安文 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/18;H01L31/105;H01L31/107 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 王荣君 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 光电 探测器 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底(1)上生长外延层，外延层结构为探测器有源层(5)；
采用光刻、腐蚀工艺去掉探测器有源层(5)光敏区外延层四周边沿；
采用光刻、蒸发、溅射、电镀在衬底(1)上制成N电极(7)，在探测器有源层(5)上制成P电极(6)，采用淀积工艺在探测器有源层(5)上面制成光敏面增透膜；
将衬底(1)背面减薄并抛光后，通过光刻、刻蚀在衬底(1)背面制作出曲面反射镜(8)；
采用蒸发、溅射在曲面反射镜(8)外表面制作宽谱高反射率反射层，曲面的拱顶高于衬底(1)背面。
2.根据权利要求1所述的高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，所述曲面反射镜(8)的外表面镀有薄膜反射层。
3.根据权利要求2所述的高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，所述薄膜反射层为宽谱高反射率反射层。
4.根据权利要求3所述的高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，所述高反射率反射层采用金属材料制成。
5.根据权利要求3所述的高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，所述高反射率反射层为多层介质制成。
6.根据权利要求1所述的高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，所述曲面反射镜(8)的曲面为凸形拱起。
7.根据权利要求1所述的高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，所述曲面反射镜(8)中心位置与正面探测器有源层(5)表面的光敏面(9)中心对应。
8.根据权利要求1所述的高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，所述探测器有源层(5)自下至上依次包括N型InP层(2)、InGaAs层(3)、P型InP层(4)，在衬底(1)上设有N电极(7)，在探测器有源层(5)上设有P电极(6)。
9.根据权利要求1所述的高速光电探测器芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底(1)为半绝缘或导电InP衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
