[发明专利]一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法在审
| 申请号： | 201611055295.8 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107342231A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王子路;王春宝;孟卫;赵一静 | 申请（专利权）人： | 南京华东电子信息科技股份有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210033 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法，该方法包括以下步骤(1)在薄膜晶体管的栅极断线处的两端定位两个点；(2)在定位到的两个点上，分别采用激光穿透该点的刻蚀阻挡层和栅绝缘层进行打孔，当孔到达栅极所在层时停止，形成孔1和孔2；(3)采用激光化学气相沉积法从孔1的位置开始沿薄膜晶体管的外表面注膜，到达孔2的位置时停止，在两孔之间形成一层注膜层，从而使孔1和孔2电气连接。本发明可以实现跨层的栅极断线修补。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 栅极 断线 修补 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)在薄膜晶体管的栅极断线处的两端定位两个点；(2)在定位到的两个点上，分别采用激光穿透该点的刻蚀阻挡层和栅绝缘层进行打孔，当孔到达栅极所在层时停止，形成孔1和孔2；(3)采用激光化学气相沉积法从孔1的位置开始沿薄膜晶体管的外表面注膜，到达孔2的位置时停止，在两孔之间形成一层注膜层，从而使孔1和孔2电气连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
