[发明专利]一种场效应管有效
| 申请号： | 201611051951.7 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106384747B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种场效应管，包括半导体衬底；形成在半导体衬底正面的漂移区；依次形成在漂移区表面上的栅绝缘层和多晶硅栅极；依次形成在漂移区表面内的体区和位于体区内的源区，体区和源区位于多晶硅栅极的两侧；形成在源区表面的源极金属层；形成在半导体衬底背面的漏极金属层，漂移区与多晶硅栅极间增加绝缘介质区，进而增加多晶硅栅极和漂移区间距，减小栅漏寄生电容，提高开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种场效应管，包括半导体衬底；形成在半导体衬底正面的漂移区；依次形成在漂移区表面上的栅绝缘层和多晶硅栅极；依次形成在漂移区表面内的体区和位于体区内的源区，体区和源区位于多晶硅栅极的两侧；形成在源区表面的源极金属层；形成在半导体衬底背面的漏极金属层，其特征在于：所述体区包括第一体区与第二体区两部分，第一体区多数载流子浓度大于第二体区多数载流子浓度，所述栅绝缘层与所述第二体区接触，所述栅绝缘层与漂移区之间形成绝缘介质区，所述绝缘介质区两侧与所述第二体区接触，所述绝缘介质区厚度不小于所述第二体区厚度。
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