[发明专利]微机械加速度传感器加工方法

摘要

本发明微机械加速度传感器加工方法涉及传感器领域，具体涉及微机械加速度传感器加工方法，包括以下步骤选取厚度为150um单晶硅片进行热氧化，得到1.5‑2um的二氧化硅保护层，硅片一面涂光刻胶进行保护，另一面涂光刻胶进行光刻，得到微机械加速度传感器的悬浮运动区域和结构悬起固定支撑区域；清除硅片表面的SiO2，采用浓硼扩散工艺对硅片进行掺杂，使结构能与电极形成良好的欧姆接触，提高传感器性能，淀积温度约750℃，驱入温度约为l 250℃；制备玻璃片，溅射金属电极层，采用派莱克司7740号玻璃，在玻璃片正面溅射一层铝，厚度1um；本发明操作简单，加工方便，能保证加工质量，延长其使用寿命，保证传感器的检测精度和灵敏度，提高生产效率，降低生产成本。

主权项

一种微机械加速度传感器加工方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，选取厚度为150um单晶硅片进行热氧化，得到1.5‑2um的二氧化硅保护层，硅片一面涂光刻胶进行保护，另一面涂光刻胶进行光刻，得到微机械加速度传感器的悬浮运动区域和结构悬起固定支撑区域；第二步，清除硅片表面的SiO2，采用浓硼扩散工艺对硅片进行掺杂，使结构能与电极形成良好的欧姆接触，提高传感器性能，淀积温度约750℃，驱入温度约为l 250℃；第三步，制备玻璃片，溅射金属电极层，采用派莱克司7740号玻璃，在玻璃片正面溅射一层铝，厚度1um；第四步，在玻璃片上金属电极一面涂覆光刻胶，进行光刻，利用浓磷酸溶液腐蚀表面溅射的铝，得到电极引线，玻璃片与硅片采用硅‑玻璃阳极对准高温键合工艺进行键合，温度为300℃，键合电压为1kV；第五步，用有机类腐蚀剂EPW系统湿法腐蚀工艺对硅片进行腐蚀，将硅片减薄到80um；第六步，利用深反应离子刻蚀技术对芯片进行刻蚀，释放电容式微机械加速度传感器的可动部分及固定梳齿。