[发明专利]LED芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201611037504.6 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106409997A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 童玲;徐慧文 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LED芯片及其形成方法，方法包括提供第一衬底，第一衬底上有由下到上包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的前端结构，前端结构有第一区和第二区；在第一区形成贯穿第二半导体层和有源层的凹槽；在凹槽周围第一区第二半导体层顶部表面形成连接导电层；形成覆盖连接导电层及凹槽侧壁且暴露凹槽底部的第一半导体层和第二区第二半导体层顶部表面的绝缘层；进行键合处理，使绝缘层、凹槽底部的第一半导体层及第二区第二半导体层通过键合体和第二衬底结合；之后去除第一衬底；刻蚀第二区和部分第一区的前端结构，分别对应露出部分的键合体和连接导电层；在连接导电层和键合体表面形成电极层。该方法能降低LED芯片板上芯片封装复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，所述第一衬底上具有前端结构，所述前端结构包括第一半导体层、位于第一半导体层上的有源层、以及位于有源层上的第二半导体层，所述前端结构具有第一区和第二区；在第一区形成贯穿第二半导体层和有源层的凹槽；在凹槽周围的第一区第二半导体层的顶部表面形成连接导电层；形成覆盖连接导电层以及凹槽侧壁的绝缘层，所述绝缘层暴露出凹槽底部的第一半导体层和第二区第二半导体层的顶部表面；进行键合处理，使绝缘层、凹槽底部的第一半导体层、以及第二区第二半导体层通过键合体和第二衬底结合，所述键合体填充满凹槽且覆盖绝缘层和第二区第二半导体层的顶部表面；进行所述键合处理后，去除第一衬底；去除第一衬底后，刻蚀部分第一区的前端结构，暴露出部分连接导电层，刻蚀第二区的前端结构，暴露出部分键合体；在暴露出的连接导电层表面和键合体表面分别形成电极层。
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