[发明专利]一种以四氯化硅制备三氯氢硅的装置及方法有效
申请号: | 201611035782.8 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN106495165B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 张宝顺;肖建忠;宗冰;蔡延国;鲍守珍;王体虎 | 申请(专利权)人: | 亚洲硅业(青海)有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 陈正兴 |
地址: | 810007 青海省*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本发明公开了一种以四氯化硅制备三氯氢硅的装置和方法,装置包括密封法兰、可变垫环、高压阻挡圈、电介质、外电极及内电极,内电极位于轴线位置处,内电极两端分别与两密封法兰连接;电介质的两端分别连接两密封法兰并将内电极套在内部,高压阻挡圈套装在电介质上,且与密封法兰紧密贴住,外电极紧密包裹在电介质外表面;一密封法兰具有进气导口,另一密封法兰具有出气导口。本发明结构灵活,能够轻易调整其几何参数,气密性良好,消除了气体泄露产生的危害;能够有效降低击穿电压和使等离子体维持在非平衡状态,能够容易的产生低温等离子体,有效地提高放电间隙内的电子密度;操作范围广,能够在较广的气压、电压、频率及功率下工作。 | ||
搜索关键词: | 一种 氯化 制备 三氯氢硅 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种以四氯化硅制备三氯氢硅的装置,其特征在于:该装置即为四氯化硅介质阻挡低温等离子氢化反应器,其包括密封法兰、可变垫环、高压阻挡圈、电介质、外电极及内电极,内电极位于反应器的轴线位置处,内电极上端和内电极下端分别与两端的密封法兰连接;电介质的两端分别连接两端的密封法兰并将内电极套在内部,高压阻挡圈套装在电介质上,且与密封法兰紧密贴住,外电极紧密包裹在电介质的外表面;密封垫片和可变垫环安装于密封法兰中,其中可变垫环位于电介质外表面与密封法兰之间,而密封垫片密封于电介质内表面及电介质两端与密封法兰之间;通过拧紧电介质两头的密封法兰,电介质与密封法兰内的密封垫片紧密结合;其中一端的密封法兰具有进气导口,另一端的密封法兰具有出气导口;其中一端的密封法兰连接有电源连接柱,该反应器通过电源连接柱与驱动电源的正极连接,驱动电源的负极与外电极连接。
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