[发明专利]鳍片型场效应晶体管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201611024414.3 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107123677B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种鳍片型场效应晶体管装置，其包含衬底、栅极堆叠结构、间隔物以及源极和漏极区域。间隔物包含第一和第二间隔物并且第一间隔物的第一高度大于第二间隔物的第二高度。安置于栅极堆叠结构上的介电层包含接触开口，接触开口暴露源极和漏极区域、第一和第二间隔物以及栅极堆叠结构的一部分。鞘结构安置在接触开口内并且鞘结构与第一和第二间隔物以及栅极堆叠结构的暴露部分接触而不覆盖源极和漏极区域。金属连接器安置在鞘结构内并且连接到源极和漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片型 场效应 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍片型场效应晶体管装置，其包括：衬底；至少一个栅极堆叠结构，其安置于所述衬底上；间隔物，其安置于所述至少一个栅极堆叠结构的侧壁上，其中所述间隔物包含第一间隔物以及第二间隔物并且所述第一间隔物的第一高度大于所述第二间隔物的第二高度；源极和漏极区域，其安置在所述衬底中并且位于所述至少一个栅极堆叠结构的相对侧；介电层，其安置在所述衬底上并且在所述至少一个栅极堆叠结构上，其中所述介电层包含至少一个接触开口，所述接触开口暴露所述源极和漏极区域、所述第一和第二间隔物以及所述至少一个栅极堆叠结构的一部分；至少一个鞘结构，其安置在所述至少一个接触开口内，其中所述至少一个鞘结构与所述第一和第二间隔物以及所述至少一个栅极堆叠结构的所述暴露部分接触而不覆盖所述源极和漏极区域；以及至少一个金属连接器，其安置在所述至少一个鞘结构内并且在所述至少一个接触开口内，并且所述至少一个金属连接器连接到所述源极和漏极区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611024414.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于物联网技术的舞台灯智能网络管理系统和方法
- 下一篇：一种照明控制开关
- 同类专利
- 专利分类
