[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件，其包括衬底、多个绝缘体、介电层以及多个栅极。衬底包括多个沟槽及在多个沟槽之间的半导体鳍片。多个绝缘体配置在多个沟槽内。介电层覆盖半导体鳍片以及多个绝缘体。多个栅极的长度方向与半导体鳍片的长度方向不同。多个栅极包括至少一第一栅极以及至少一第二栅极，其中半导体鳍片穿过至少一第一栅极，半导体鳍片未穿透至少一第二栅极。第二栅极包括配置在介电层上的加宽部分，以及配置在加宽部分上的顶部分，其中加宽部分的底部宽度大于顶部分的宽度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：图案化衬底，以在所述衬底内形成多个沟槽并在所述多个沟槽之间形成半导体鳍片；在所述多个沟槽内形成多个绝缘体；形成介电层，以覆盖所述半导体鳍片以及所述多个绝缘体；在所述介电层上形成第一拟栅极条及第二拟栅极条，所述第一拟栅极条及所述第二拟栅极条的长度方向与所述半导体鳍片的长度方向不同，其中所述半导体鳍片穿过所述第一拟栅极条，所述半导体鳍片未穿透所述第二拟栅极条，以及所述第二拟栅极条的底部宽度大于所述第二拟栅极条的顶部宽度；在所述第一拟栅极条的侧壁上形成一对第一间隙物，并且于所述第二拟栅极条的侧壁上形成一对第二间隙物；移除所述第一拟栅极条及所述第二拟栅极条；以及在所述一对第一间隙物之间形成第一栅极，并且在所述一对第二间隙物之间形成第二栅极。