[发明专利]用于不具有钛衬垫的MOL互连的方法及系统有效
| 申请号： | 201611020045.0 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107046000B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | V·卡米内尼;M·V·雷蒙德;P·阿迪休米尔利;牛成玉 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于不具有钛衬垫的MOL互连的方法、设备及系统。揭示了数种方法、设备及系统用于制造半导体装置，其包含半导体基板；在该半导体基板上方的氧化物层；设置于该氧化物层内的含钨的第一金属组件；在该氧化物层上方的层间电介质(ILD)，其中，该层间电介质包含沟槽，以及该沟槽的底部包含该第一金属组件的顶部的至少一部分；设置于该沟槽的侧壁及底部上的阻障材料；以及设置于该沟槽中的第二金属组件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 衬垫 mol 互连 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：提供装置堆叠，其包含半导体基板；在该半导体基板上方的氧化物层；在该氧化物层上方的层间电介质(ILD)；以及设置于该氧化物层内的含钨的第一金属组件；执行反应性离子蚀刻以至少在该层间电介质中形成至少一沟槽，由此将该第一金属组件的正面的至少一部分转换成电阻性钨基材料；执行对于该层间电介质有选择性的化学蚀刻以移除该电阻性钨基材料的至少一部分以及暴露该第一金属组件的该正面的至少一部分；沉积阻障材料于该沟槽的侧壁及底部上；以及沉积第二金属于该沟槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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