[发明专利]用于不具有钛衬垫的MOL互连的方法及系统

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，该方法包含：

提供装置堆叠，其包含半导体基板；在该半导体基板上方的氧化物层；在该氧化物层上方的层间电介质(ILD)；以及设置于该氧化物层内的含钨的第一金属组件；

执行反应性离子蚀刻以至少在该层间电介质中形成至少一沟槽，由此将该第一金属组件的正面的至少一部分转换成电阻性钨基材料；

执行对于该层间电介质有选择性的化学蚀刻以移除该电阻性钨基材料的至少一部分以及暴露该第一金属组件的该正面的至少一部分；

沉积阻障材料于该沟槽的侧壁、该电阻性钨基材料的剩余部分的侧壁、及该第一金属组件的该正面的暴露部分上；以及

沉积第二金属于该沟槽中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该装置堆叠更包含在该半导体基板上的栅极以及紧邻该栅极而设置于该半导体基板中的源极/漏极区，以及该第一金属组件在该源极/漏极区上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，该装置堆叠更包含在该半导体基板上、在该栅极上和在该氧化物层下的氮化物层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，执行该阻障材料的沉积，使得在执行对于该层间电介质有选择性的该化学蚀刻步骤之后，含氧气氛不会接触该第一金属组件的该正面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，该装置堆叠更包含在该半导体基板上的栅极，以及该第一金属组件为该栅极的最上面金属层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，该装置堆叠更包含在该半导体基板上、在该栅极上和在该氧化物层下的氮化物层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该化学蚀刻包含等离子三氟化氮蚀刻。

8.根据权利要求1所述的方法，更包含平坦化该第二金属。

9.一种用于制造半导体装置的系统，该系统包含：

制程控制器，其经组配成提供用于该半导体装置的制造的指令集给制造系统；以及

该制造系统，其经组配成根据该指令集来制造该半导体装置；

其中，该指令集包含数个指令以：

提供装置堆叠，其包含半导体基板；在该半导体基板上方的氧化物层；在该氧化物层上方的层间电介质(ILD)；以及设置于该氧化物层内的含钨的第一金属组件；

执行反应性离子蚀刻以在至少该层间电介质中形成至少一沟槽，由此将该第一金属组件的正面的至少一部分转换成电阻性钨基材料；

执行对于该层间电介质有选择性的化学蚀刻以移除该电阻性钨基材料的至少一部分以及暴露该第一金属组件的该正面的至少一部分；

沉积阻障材料于该沟槽的侧壁、该电阻性钨基材料的剩余部分的侧壁、及该第一金属组件的该正面的暴露部分上；以及

沉积第二金属于该沟槽中。

10.根据权利要求9所述的系统，其中，该装置堆叠更包含在该半导体基板上的栅极以及紧邻该栅极而设置于该半导体基板中的源极/漏极区，以及该第一金属组件在该源极/漏极区上。

11.根据权利要求10所述的系统，其中，该装置堆叠更包含在该半导体基板上、在该栅极上和在该氧化物层下的氮化物层。

12.根据权利要求9所述的系统，其中，该装置堆叠更包含在该半导体基板上的栅极，以及该第一金属组件为该栅极的最上面金属层。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，该装置堆叠更包含在该半导体基板上、在该栅极上和在该氧化物层下的氮化物层。

14.根据权利要求9所述的系统，其中，该化学蚀刻包含等离子三氟化氮蚀刻。

15.根据权利要求9所述的系统，更包含平坦化该第二金属的指令。