[发明专利]一种扩散快速退火方法在审
| 申请号: | 201611018548.4 | 申请日: | 2016-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN106653598A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 董方;赵颖;贾松燕;任永伟;陈健生 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人: | 尉伟敏,沈刚 |
| 地址: | 322118 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种扩散快速退火方法。本发明在低于800℃进行一次通源预沉积过程,沉积过后进行有氧升温推进,且升温温度最高可达840‑880℃,此时推进的PN结较深,随后是有氧降温过程,温度降至810‑850℃,再进行二次通源,二次通源是进行快速退火的关键步骤,之后马上半开炉门,通入大量的氮气,快速降温退火,晶格得到一定程度的修复作用,但是磷源仍然需要一定的推进时间,故而关闭炉门缓慢回温至恒温状态。本发明的有益效果是进行二次通源,增加表面浓度,提高填充因子;进行晶格修复,减少热损伤,提高开路电压和短路电流,以提高电池片的转换效率,同时快速降温可以减少工艺总时间,提高工艺效率,提高产能。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 扩散 快速 退火 方法 | ||
【主权项】:
一种扩散快速退火方法,其特征是,具体操作步骤如下:(1)将制绒好的硅片插入到石英舟内,并送入到扩散炉管中,炉门关闭后,将炉口至炉尾的温度升到730‑800℃,同时一直通入氮气;(2)一次通源:温度维持在730‑800℃的前氧化过程,同时通入氮气和氧气,在前氧化过后进行预沉积过程,在预沉积过程中,只需在前氧化的基础上通入携源氮气;(3)有氧升温推进,将温度从730‑800℃升温至840‑880℃,通入氮气和氧气,在有氧升温推进后进行有氧降温过程,将温度从840‑880℃降温到810‑850℃,再通入氮气和氧气;(4)二次通源:在温度为810‑850℃时,再一次进行通源沉积,通入氮气、氧气和携源氮气;(5)快速退火:二次通源后,炉门半开,通入氮气,温度从810‑850℃降至720‑780℃,炉门关闭,温度恢复到750‑800℃;(6)退舟的过程中,通入氮气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于横店集团东磁股份有限公司,未经横店集团东磁股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611018548.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种湿法刻蚀工艺中去磷硅玻璃槽的配置方法
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





