[发明专利]一种扩散快速退火方法在审
| 申请号: | 201611018548.4 | 申请日: | 2016-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN106653598A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 董方;赵颖;贾松燕;任永伟;陈健生 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人: | 尉伟敏,沈刚 |
| 地址: | 322118 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 扩散 快速 退火 方法 | ||
1.一种扩散快速退火方法,其特征是,具体操作步骤如下:
(1)将制绒好的硅片插入到石英舟内,并送入到扩散炉管中,炉门关闭后,将炉口至炉尾的温度升到730-800℃,同时一直通入氮气;
(2)一次通源:温度维持在730-800℃的前氧化过程,同时通入氮气和氧气,在前氧化过后进行预沉积过程,在预沉积过程中,只需在前氧化的基础上通入携源氮气;
(3)有氧升温推进,将温度从730-800℃升温至840-880℃,通入氮气和氧气,在有氧升温推进后进行有氧降温过程,将温度从840-880℃降温到810-850℃,再通入氮气和氧气;
(4)二次通源:在温度为810-850℃时,再一次进行通源沉积,通入氮气、氧气和携源氮气;
(5)快速退火:二次通源后,炉门半开,通入氮气,温度从810-850℃降至720-780℃,炉门关闭,温度恢复到750-800℃;
(6)退舟的过程中,通入氮气。
2.根据权利要求1所述的一种扩散快速退火方法,其特征是,在步骤(1)中,升温的时间为300-800s,通入的氮气流量为17000-25000sccm。
3.根据权利要求1所述的一种扩散快速退火方法,其特征是,在步骤(2)中,温度维持的时间为500-1000s,通入的氮气流量为13000-23000sccm,通入的氧气流量为200-800sccm,通入的携源氮气流量为500-1800sccm。
4.根据权利要求1所述的一种扩散快速退火方法,其特征是,在步骤(3)中,在有氧升温推进的过程中,升温的时间为500-1700s,通入的氮气流量为10000-23000sccm,通入的氧气流量为200-1000sccm;在有氧降温的过程中,将温度从840-880℃降温到810-850℃后,维持的时间为100-600s,通入的氮气流量为10000-23000sccm,通入的氧气流量为200-1000sccm。
5.根据权利要求1所述的一种扩散快速退火方法,其特征是,在步骤(4)中,通入的氮气流量为13000-23000sccm,通入的氧气流量为200-800sccm,通入的携源氮气流量为500-1800sccm,维持的时间为400-1000s。
6.根据权利要求1所述的一种扩散快速退火方法,其特征是,在步骤(5)中,快速退火的整个过程不需要退舟,而是直接在炉内进行,扩散炉管的进气方式选择尾部进气。
7.根据权利要求1或6所述的一种扩散快速退火方法,其特征是,在步骤(5)中,通入的氮气流量为15000-25000sccm,维持的时间为240-360s,温度从810-850℃降至720-780℃后,炉门关闭,时间维持为300-800s将温度升高到750-800℃。
8.根据权利要求1所述的一种扩散快速退火方法,其特征是,在步骤(6)中,通入的氮气流量为17000-25000sccm,时间为500-650s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于横店集团东磁股份有限公司,未经横店集团东磁股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611018548.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种湿法刻蚀工艺中去磷硅玻璃槽的配置方法
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





