[发明专利]晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201611016439.9 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106816411A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘尚奕;潘正圣;吴志毅;程琮钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;吴志毅 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶体管的制造方法，是关于提供高品质的转移的石墨烯层用于后续装置制造，包含转移石墨烯至疏水层的疏水性表面上及执行热处理制程。在各种实施方式中，提供了包含绝缘层的基板，及疏水层形成于绝缘层上。在一些实施例中，石墨烯层转移至疏水层上。举例而言，转移的石墨烯层具有第一载子迁移率。在一些实施方式中，于转移石墨烯层之后，可执行退火制程，及退火的石墨烯层具有第二载子迁移率大于第一载子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板，包含一绝缘层；形成一疏水层于该绝缘层上；转移一石墨烯层至该疏水层上，其中该转移的石墨烯层具有一第一载子迁移率；以及转移该石墨烯层之后，执行一退火制程，其中该退火的石墨烯层具有一第二载子迁移率大于该第一载子迁移率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
