[发明专利]光刻胶质量检测方法在审
| 申请号： | 201611008674.1 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106571315A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶质量检测方法，包括提供形成有膜层结构的监控半导体衬底，所述膜层结构与当前工艺的半导体衬底的膜层结构相对应；利用所述监控半导体衬底进行光刻工艺，所述光刻工艺利用待检测的光刻胶进行；利用刻蚀工艺去除所述待待检测的光刻胶；在刻蚀工艺后，在所述监控半导体衬底上进行半导体薄膜沉积工艺，在所述监控半导体衬底上形成半导体膜层；对所述半导体膜层进行检测，基于检测结果判断光刻胶质量。本发明的方法能够检测光刻胶的质量缺陷，避免光刻胶质量缺陷引起后续的薄膜沉积空洞缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 胶质 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶质量检测方法，其特征在于，包括：提供形成有膜层结构的监控半导体衬底，所述膜层结构与当前工艺的半导体衬底的膜层结构相对应；利用所述监控半导体衬底进行光刻工艺，所述光刻工艺利用待检测的光刻胶进行；利用刻蚀工艺去除所述待待检测的光刻胶；在刻蚀工艺后，在所述监控半导体衬底上进行半导体薄膜沉积工艺，在所述监控半导体衬底上形成半导体膜层；对所述半导体膜层进行检测，基于检测结果判断光刻胶质量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
