[发明专利]指纹识别结构的制作方法在审
| 申请号： | 201611008259.6 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106407963A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 朱杰;郑武;田超;王勇;吴锦坤;陈天佑;胡君文;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种指纹识别结构的制作方法。该制作方法包括如下步骤A、在阵列基板上设置缓冲层。B、在所述缓冲层上设置非晶硅层，对所述非晶硅层进行退火处理，形成多晶硅层。C、在所述多晶硅层上设置第一绝缘层。D、在所述第一绝缘层上设置栅极金属层。E、在所述栅极金属层上设置第二绝缘层，对所述第二绝缘层进行刻蚀形成第一通孔和第二通孔。F、在所述第二绝缘层上设置源/漏极金属层。G、在所述源/漏极金属层上设置平坦层，并对所述平坦层进行刻蚀形成第三通孔。H、在所述平坦层上形成感测电极。上述指纹识别结构的制作方法，通过在阵列基板上制作指纹识别感应模块，实现了高精度的指纹识别，同时降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 指纹识别 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种指纹识别结构的制作方法，包括如下步骤：A、在阵列基板上设置缓冲层；B、在所述缓冲层上设置非晶硅层，对所述非晶硅层进行退火处理形成多晶硅层；C、在所述多晶硅层上设置第一绝缘层；D、在所述第一绝缘层上设置栅极金属层；E、在所述栅极金属层上设置第二绝缘层，对所述第二绝缘层进行刻蚀形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔与所述多晶硅层相连通，所述第二通孔与栅极金属层相连通；F、在所述第二绝缘层上设置源/漏极金属层；G、在所述源/漏极金属层上设置平坦层，并对所述平坦层进行刻蚀形成第三通孔，所述第三通孔与所述源/漏极金属层相连通；H、在所述平坦层上形成感测电极。
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