[发明专利]一种制作阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管的方法

摘要

本发明公开了一种制作阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管的方法，该方法为在衬底外延生长过渡层，在过渡层表面外延生长氮化镓层，在氮化镓层表面外延生长未掺杂铝镓氮层作为隔离层，在未掺杂铝镓氮层表面外延生长N型掺杂铝镓氮层；通过第一次等离子体刻蚀出工作区；通过第二次等离子体刻蚀分别形成源极和漏极接触区域；沉积源极和漏极金属；通过第三次等离子体刻蚀分别形成源极和漏极结构；高温退火形成漏极和源极欧姆接触；沉积栅极金属；通过第四次等离子体刻蚀形成栅极结构；通过本发明方法可以与现有硅器件生产工艺(Si‑CMOS)兼容，欧姆接触电阻低，工艺流程简单易控制，可用于制作高工作效率、高增益的铝镓氮/镓氮异质结高频大功率高电子器件。

主权项

一种制作阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管的方法，其特征在于：首先，提供衬底，在所述衬底外延生长过渡层，在所述过渡层表面外延生长氮化镓层，在所述氮化镓层表面外延生长未掺杂铝镓氮层作为隔离层，在所述未掺杂铝镓氮层表面外延生长N型掺杂铝镓氮层，所述氮化镓层与未掺杂铝镓氮层由于自发极化和压电效应，在氮化镓层和隔离层之间形成一层二维电子气；其次，用等离子体方法刻蚀所述N型掺杂铝镓氮层、未掺杂铝镓氮层、氮化镓层，形成工作区域，所述工作区域用于在后续工艺中形成氮化镓场效应管的导电通道；接着，在所述工作区域的边缘刻蚀部分厚度的工作区域，形成具有阶梯形状的侧壁，在所述工作区域包括侧壁在内镀上并覆盖工作区域的第一层多金属薄膜结构；接着，采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第一层多金属薄膜结构，并在高温下退火，在所述侧壁表面形成源极和漏极；最后，在所述工作区域表面形成第二层多金属薄膜结构，刻蚀所述第二层多金属薄膜结构，并在高温下退火，形成栅极结构。