[发明专利]引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少有效
| 申请号： | 201611001362.8 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN107059116B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | R·T·邦德科夫;K·E·摩根;L·J·肖沃尔特;G·A·斯莱克 | 申请（专利权）人： | 晶体公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少。提供了面缺陷面密度≤100cm | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体生长 中的 缺陷 减少 | ||
【主权项】：
1.用于生长单晶氮化铝(AlN)的方法，该方法包括：/n在籽晶保持器上安装AlN籽晶，从而形成籽晶-籽晶保持器组件；/n将所述籽晶-籽晶保持器组件置于晶体生长坩埚内；/n加热所述晶体生长坩埚以便向其施加(i)小于50℃/cm的径向热梯度和(ii)大于1℃/cm且小于50℃/cm的竖向热梯度；和/n在适合于由所述AlN籽晶开始生长单晶AlN的条件下向AlN籽晶上沉积铝和氮,/n其中所述单晶AlN具有≤1cm
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