[发明专利]亚卤酸盐碳化硅蚀刻剂有效
| 申请号： | 201610997442.7 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106967385B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 方树辉 | 申请（专利权）人： | 方树辉 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;C09K13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 美国加州都柏林*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一碳化硅蚀刻剂，其通式MXO2，M为碱金属或铵，X为卤素，O为氧。当碳化硅蚀刻剂与磨料颗粒混合成水溶液浆料状型态，MXO2蚀刻剂作为摩擦化学反应剂，用以加速在化学机械研磨过程中碳化硅材料的移除速率。该移除速率相比于其他不含此亚卤酸盐蚀刻剂的浆料有时可高出几个数量级。MXO2式中的典型金属为K及Na，X包括Cl、Br及I。全系列的MXO2化合物属于金属亚卤酸盐或亚卤酸铵盐。亚氯酸钠(NaClO2)为亚卤酸盐中最简单也最易取得，故为典型例子。增加的研磨速率可大幅增加CMP的碳化硅基材研磨操作的生产率。此外，因研磨配方中不含有毒重金属离子，故废水处理厂可容易处理CMP工艺所产生的研磨废水。 | ||
| 搜索关键词： | 亚卤酸盐 碳化硅 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种用于研磨碳化硅晶圆的混合物，包含：至少一MXO2蚀刻剂，其中M为金属或铵，X为卤素，O为氧；以及分散的高纯度磨料颗粒，该高纯度磨料颗粒为α‑氧化铝，其莫氏硬度至少为7；以及水；其中，该混合物的pH值是介于pH 3至pH 8，该MXO2蚀刻剂与该高纯度磨料颗粒在该混合物中的重量比例是介于1:1至1:10，MXO2浓度是介于11至200g/L，且该高纯度磨料颗粒浓度是介于11至600g/L。
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