[发明专利]垂直存储器件有效

专利信息
申请号: 201610991717.6 申请日: 2016-11-10
公开(公告)号: CN107068684B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 孙荣晥;朴泳雨;李载悳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种存储器件,该存储器件可以包括外围区域和单元区域。外围区域可以包括第一基板、设置在第一基板上的多个电路元件、设置在所述多个电路元件上的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层中的第一保护层。单元区域可以包括设置在第一绝缘层上的第二基板,其中单元区域包括第一杂质区域、在基本上垂直于第二基板的上表面的方向上延伸的沟道区、堆叠在第二基板上并邻近于沟道区的多个栅电极层以及电连接到第一杂质区域的第一接触,其中第一保护层设置在第一杂质区域下面并具有与第一杂质区域的形状对应的形状。
搜索关键词: 垂直 存储 器件
【主权项】:
暂无信息
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