[发明专利]基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器及其制备方法

摘要

本发明公开一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器及其制备方法，该石墨烯红外传感器包括硅片，部分的硅片上方具有绝缘层，绝缘层的上方具有电极层，当选择具有二氧化硅层的硅片时，则直接于部分的硅片上方形成电极层，部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层，剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。本发明使用新型纳米石墨烯材料作为感光材料,并加入光子晶体汇聚特定波长红外线，提高了光响应率，并且其制备过程简单，成本低，是一种无需制冷的量子传感器。

主权项

1.一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器，其特征在于，包括硅片，部分的硅片的抛光面上具有连续且厚度均匀的绝缘层，绝缘层的上方具有连续且厚度均匀的电极层，部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层，剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。