[发明专利]等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610980109.5 申请日: 2016-11-08
公开(公告)号: CN106486560B 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 王志明;余鹏;巫江;姬海宁 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 冉鹏程
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池,涉及太阳能电池制造技术领域。包括从下到上依次设置的衬底层、依附在衬底层上的缓冲层、在缓冲层上生长的第一隔离层、量子点与间隔结构层、第二隔离层、发射层和电极接触层;所述的量子点与间隔结构层包括量子点层和在量子点层上形成的砷化镓间隔层,所述的量子点与间隔结构层至少为两层;在形成的量子点太阳能电池上,耦合贵金属纳米颗粒,并通过化学刻蚀方法,将所述贵金属纳米颗粒往下沉至靠近量子点与间隔结构层。该太阳电池的效率能得到大幅度提高。
搜索关键词: 等离子 体液 外延 砷化镓 量子 太阳电池 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池,其特征在于:包括从下到上依次设置的衬底层、依附在衬底层上的缓冲层、在缓冲层上生长的第一隔离层、量子点与间隔结构层、第二隔离层、发射层和电极接触层;所述的量子点与间隔结构层包括利用液滴外延技术形成的量子点层和在量子点层上形成的砷化镓间隔层,所述的量子点与间隔结构层至少为两层;在形成的量子点太阳能电池上,利用耦合的贵金属纳米颗粒作掩模进行化学刻蚀使得贵金属纳米颗粒形成的表面等离子体纳米结构下沉至靠近量子点与间隔结构层。
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