[发明专利]等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池及其制造方法有效
申请号: | 201610980109.5 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN106486560B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 王志明;余鹏;巫江;姬海宁 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 冉鹏程 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池,涉及太阳能电池制造技术领域。包括从下到上依次设置的衬底层、依附在衬底层上的缓冲层、在缓冲层上生长的第一隔离层、量子点与间隔结构层、第二隔离层、发射层和电极接触层;所述的量子点与间隔结构层包括量子点层和在量子点层上形成的砷化镓间隔层,所述的量子点与间隔结构层至少为两层;在形成的量子点太阳能电池上,耦合贵金属纳米颗粒,并通过化学刻蚀方法,将所述贵金属纳米颗粒往下沉至靠近量子点与间隔结构层。该太阳电池的效率能得到大幅度提高。 | ||
搜索关键词: | 等离子 体液 外延 砷化镓 量子 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池,其特征在于:包括从下到上依次设置的衬底层、依附在衬底层上的缓冲层、在缓冲层上生长的第一隔离层、量子点与间隔结构层、第二隔离层、发射层和电极接触层;所述的量子点与间隔结构层包括利用液滴外延技术形成的量子点层和在量子点层上形成的砷化镓间隔层,所述的量子点与间隔结构层至少为两层;在形成的量子点太阳能电池上,利用耦合的贵金属纳米颗粒作掩模进行化学刻蚀使得贵金属纳米颗粒形成的表面等离子体纳米结构下沉至靠近量子点与间隔结构层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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