[发明专利]有机薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201610979784.6 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN106410030A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 徐洪远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机薄膜晶体管的制作方法，其包括提供一衬底基板，并在衬底基板上制作有机薄膜晶体管的源极以及漏极；在衬底基板的非沟道区域涂布光阻；在衬底基板的所有区域上沉积沟道薄膜；对光阻进行剥离操作，以将非沟道区域上的沟道薄膜剥离，从而形成有机薄膜晶体管的沟道；在衬底基板的所有区域上制作绝缘层；以及在绝缘层上制作有机薄膜晶体管的栅极。本发明的有机薄膜晶体管的制作方法避免了源漏极的金属材料被氧化，提高了有机薄膜晶体管的源漏极的电子空穴传导能力。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板，并在所述衬底基板上制作有机薄膜晶体管的源极以及漏极；在所述衬底基板的非沟道区域涂布光阻；在所述衬底基板的所有区域上沉积沟道薄膜；对所述光阻进行剥离操作，以将所述非沟道区域上的沟道薄膜剥离，从而形成所述有机薄膜晶体管的沟道；在所述衬底基板的所有区域上制作绝缘层；以及在所述绝缘层上制作所述有机薄膜晶体管的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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