[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号: | 201610972086.3 | 申请日: | 2016-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN106935548A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
| 发明(设计)人: | 小幡翼;山下阳平 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 提供晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的工序槽形成工序,从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线,沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的槽;模制工序,在晶片的正面上敷设模制树脂并且在槽中埋设模制树脂;保护部件粘贴工序,在晶片的正面所敷设的模制树脂的正面上粘贴保护部件;背面磨削工序,对晶片的背面进行磨削而使槽露出,并使槽中所埋设的模制树脂在晶片的背面露出;以及分割工序,利用具有比槽的宽度薄的厚度的切削刀具沿着槽对沿着槽而露出的模制树脂的宽度方向中央部进行切削,从而将晶片分割成一个个的具有被模制树脂围绕的外周的器件芯片。 | ||
| 搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中形成有器件,该器件在正面上具有多个凸起,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:槽形成工序,从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线,沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的槽;模制工序,在实施了该槽形成工序的晶片的正面上敷设模制树脂并且在该槽中埋设模制树脂;保护部件粘贴工序,在实施了该模制工序的晶片的正面所敷设的模制树脂的正面上粘贴保护部件;背面磨削工序,对实施了该保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削而使该槽露出,并使该槽中所埋设的模制树脂在晶片的背面露出;以及分割工序,利用具有比该槽的宽度薄的厚度的切削刀具对沿着该槽而露出的模制树脂的宽度方向中央部沿着该槽进行切削,从而将晶片分割成一个个的具有被模制树脂围绕的外周的器件芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610972086.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防炉渣掉落的锅炉除渣机
- 下一篇:一种带有气化装置的锅炉捞渣机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





