[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法沿着分割预定线将该晶片分割成一个个的器件芯片并且利用树脂包覆一个个的器件芯片。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上由排列成格子状的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。通过沿着分割预定线对这样形成的半导体晶片进行切断，而对形成有器件的区域进行分割从而制造出一个个的器件芯片。

近年来，开发出如下的封装技术：将晶片分割成一个个的器件芯片，并且利用树脂包覆一个个的器件芯片。在下述专利文献1中公开了作为该封装技术之一的被称为晶片级芯片尺寸封装件(WL-CSP)的封装技术。

在下述专利文献1所公开的封装技术中，在晶片的背面上包覆树脂，并形成从晶片的正面沿着分割预定线而到达树脂的切削槽，当在晶片的正面上敷设模制树脂而包覆各器件芯片并且在切削槽中埋设了模制树脂之后，通过厚度比切削槽的宽度薄的切削刀具对埋设在切削槽中的模制树脂进行切断，而分割成一个个晶片级芯片尺寸封装件(WL-CSP)。

并且，为了提高IC、LSI等半导体芯片的处理能力，将如下的形式的半导体晶片实用化：通过在硅等基板的正面上层叠了由SiOF、BSG(SiOB)等无机物系的膜和聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等作为聚合物膜的有机物系的膜构成的低导电率绝缘体被膜(Low-k膜)所得到的功能层而形成半导体器件，作为使用该形式的半导体晶片而制造出晶片级芯片尺寸封装件(WL-CSP)的晶片的加工方法开发出包含如下的工序的技术。

(1)在从晶片的正面侧沿着分割预定线形成切削槽时，以使切削刀具的破坏力不会到达功能层上所形成的器件的方式沿着分割预定线向功能层照射激光光线并形成激光加工槽，由此沿着分割预定线去除功能层(功能层去除工序)。

(2)从晶片的正面侧沿着分割预定线上所形成的激光加工槽通过宽度比激光加工槽的宽度窄的第1切削刀具而形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽(切削槽形成工序)。

(3)在晶片的正面上敷设模制树脂并且在切削槽中埋设模制树脂(模制工序)。

(4)在晶片的正面所敷设的模制树脂的正面上粘贴保护部件并对晶片的背面进行磨削而使切削槽露出(背面磨削工序)。

(5)在划片带上粘贴晶片的背面，通过厚度比切削槽的宽度薄的第2切削刀具而对埋设在切削槽中的模制树脂进行切断，由此分割成一个个晶片级芯片尺寸封装件(WL-CSP)(分割工序)。

专利文献1：日本特开2006-100535号公报

但是，将实施上述分割工序时所使用的第2切削刀具的厚度设定为20μm以下很困难，而且分割预定线的宽度也被限制，因此第1切削刀具的厚度也必然被限制(例如为40μm以下)，利用第1切削刀具而沿着分割预定线形成的切削槽的宽度也被限制。因此，埋设在切削槽中的模制树脂的宽度不足够，在通过第2切削刀具对埋设在切削槽中的模制树脂进行切断时第2切削刀具的侧面与器件芯片的侧面之间所存在的模制树脂的宽度较小为10μm左右，因此存在给器件芯片的侧面带来损伤且难以利用模制树脂围绕器件芯片的外周的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于，提供一种晶片的加工方法，能够不给器件芯片的侧面带来损伤而得到品质良好的、外周被模制树脂围绕的器件芯片。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，该器件在正面上具有多个凸起，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：

槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的槽；

模制工序，在实施了该槽形成工序的晶片的正面上敷设模制树脂并且在该槽中埋设模制树脂；

保护部件粘贴工序，在实施了该模制工序的晶片的正面所敷设的模制树脂的正面上粘贴保护部件；

背面磨削工序，对实施了该保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削而使该槽露出，并使该槽中所埋设的模制树脂在晶片的背面露出；以及