[发明专利]一种晶圆级传感器气密性检测装置及方法有效
| 申请号： | 201610971905.2 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106595975B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 焦斌斌;孔延梅;云世昌;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01M3/16 | 分类号： | G01M3/16 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种晶圆级传感器气密性检测装置及方法，包括晶圆级传感器本体和电容检测单元；晶圆级传感器本体包括衬底、传感器件、盖设结构和引线焊盘；盖设结构键合在衬底上，盖设结构和衬底之间形成有真空腔室；传感器件和电容检测单元均制作在真空腔室内的衬底上；引线焊盘制作在位于真空腔室外的衬底上；电容检测单元通过引线与引线焊盘连接。本发明通过在晶圆级传感器本体的真空腔室内设置电容检测单元，在将晶圆级传感器本体放置于真空检测室中后，根据在真空检测室处于不同气压的条件下电容检测单元的相对介电常数的变化，能够确定出晶圆级传感器本体的气密性，实现了对晶圆级传感器气密性的准确检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 传感器 气密性 检测 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级传感器气密性检测装置，其特征在于，包括晶圆级传感器本体和电容检测单元；所述晶圆级传感器本体包括衬底、传感器件、盖设结构和引线焊盘；所述盖设结构键合在所述衬底上，所述盖设结构和所述衬底之间形成有真空腔室；所述传感器件和所述电容检测单元均通过微细加工工艺制作在所述真空腔室内的所述衬底上；所述引线焊盘制作在位于所述真空腔室外的所述衬底上；所述电容检测单元通过引线与所述引线焊盘连接；其中，在将所述晶圆级传感器本体放置于真空检测室之后，根据所述真空检测室处于不同气压的条件下所述电容检测单元的相对介电常数的变化，确定所述晶圆级传感器本体的气密性。
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