[发明专利]一种晶圆级传感器气密性检测装置及方法

权利要求书

1.一种晶圆级传感器气密性检测装置，其特征在于，包括晶圆级传感器本体和电容检测单元；

所述晶圆级传感器本体包括衬底、传感器件、盖设结构和引线焊盘；

所述盖设结构键合在所述衬底上，所述盖设结构和所述衬底之间形成有真空腔室；

所述传感器件和所述电容检测单元均通过微细加工工艺制作在所述真空腔室内的所述衬底上；

所述引线焊盘制作在位于所述真空腔室外的所述衬底上；

所述电容检测单元通过引线与所述引线焊盘连接；

其中，在将所述晶圆级传感器本体放置于真空检测室之后，根据所述真空检测室处于不同气压的条件下所述电容检测单元的相对介电常数的变化，确定所述晶圆级传感器本体的气密性。

2.如权利要求1所述的晶圆级传感器气密性检测装置，其特征在于，所述电容检测单元为平行板电容器。

3.如权利要求1所述的晶圆级传感器气密性检测装置，其特征在于，所述盖设结构包括盖帽和键合环，所述盖帽通过所述键合环键合在所述衬底上。

4.一种晶圆级传感器气密性检测方法，其特征在于，应用于真空腔室内包含电容检测单元的晶圆级传感器本体，所述电容检测单元通过微细加工工艺制作在所述晶圆级传感器本体中，所述方法包括：

在控制放置有所述晶圆级传感器本体的真空检测室的气压处于第一气压的条件下，获得用于确定所述电容检测单元的相对介电常数的第一测量值，以及，在控制所述真空检测室的气压处于第二气压的条件下，获得用于确定所述电容检测单元的相对介电常数的第二测量值；

根据所述第一测量值和所述第二测量值，判断所述电容检测单元的相对介电常数是否发生预设变化，生成判断结果；

根据所述判断结果，确定所述晶圆级传感器本体的气密性。

5.如权利要求4所述的晶圆级传感器气密性检测方法，其特征在于，所述控制所述真空检测室的气压处于第一气压，包括：

控制所述真空检测室处于预设真空度。

6.如权利要求5所述的晶圆级传感器气密性检测方法，其特征在于，在获得用于确定所述电容检测单元的相对介电常数的第一测量值之后，所述方法还包括：

向所述真空检测室内充入检测气体；

所述控制所述真空检测室的气压处于第二气压，包括：

控制所述真空检测室的气压处于预设气压值。

7.如权利要求4所述的晶圆级传感器气密性检测方法，其特征在于，所述获得用于确定所述电容检测单元的相对介电常数的第一测量值，包括：

获得在向所述电容检测单元施加预设电压的条件下所述电容检测单元的第一电容值；

所述获得用于确定所述电容检测单元的相对介电常数的第二测量值，包括：

获得在向所述电容检测单元施加所述预设电压的条件下所述电容检测单元的第二电容值。

8.如权利要求7所述的晶圆级传感器气密性检测方法，其特征在于，所述根据所述第一测量值和所述第二测量值，判断所述电容检测单元的相对介电常数是否发生预设变化，包括：

判断所述第一电容值与所述第二电容值之间差值的绝对值是否大于预设电容阈值。

9.如权利要求8所述的晶圆级传感器气密性检测方法，其特征在于，所述根据所述判断结果，确定所述晶圆级传感器本体的气密性，包括：

当所述判断结果为所述第一电容值与所述第二电容值之间差值的绝对值大于所述预设电容阈值时，确定所述晶圆级传感器本体的气密性为漏气。

10.如权利要求4所述的晶圆级传感器气密性检测方法，其特征在于，所述电容检测单元为所述晶圆级传感器本体自身的电容结构，或，独立于所述晶圆级传感器本体的电容结构。