[发明专利]层叠型半导体器件有效
申请号: | 201610971763.X | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN106910757B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 金东贤;权杜原 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 层叠型半导体器件包括下部器件和设置在下部器件上的上部器件。下部器件包括下基板、在下基板上的下部互连、在下部互连上的下部焊垫、以及覆盖下部互连的侧表面和下部焊垫的侧表面的下部层间绝缘层。上部器件包括上基板、在上基板下面的上部互连、在上部互连下面的上部焊垫、以及覆盖上部互连的侧表面和上部焊垫的侧表面的上部层间绝缘层。每个焊垫具有厚部分和薄部分。焊垫的薄部分接合到彼此,下部焊垫的厚部分接触上部层间绝缘层的底部,上部焊垫的厚部分接触下部层间绝缘层的顶部。 | ||
搜索关键词: | 层叠 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:下部器件,包括下基板、在所述下基板上的下部互连结构、在所述下部互连结构上的下部焊垫、以及覆盖所述下部互连结构的侧表面和所述下部焊垫的侧表面的下部层间绝缘;和上部器件,设置在所述下部器件上,并且包括上基板、在所述上基板下面的上部互连结构、在所述上部互连结构下面的上部焊垫、以及覆盖所述上部互连结构的侧表面和所述上部焊垫的侧表面的上部层间绝缘,和其中所述下部焊垫具有第一部分和第二部分,所述下部焊垫的所述第一部分在垂直方向上比所述下部焊垫的所述第二部分薄,所述上部焊垫具有第一部分和第二部分,所述上部焊垫的所述第一部分在所述垂直方向上比所述上部焊垫的所述第二部分薄,所述下部焊垫的所述第二部分在所述上部焊垫的所述第二部分处接合到所述上部焊垫,所述下部焊垫的所述第一部分与所述上部层间绝缘的下表面接触,所述上部焊垫的所述第一部分与所述下部层间绝缘的上表面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610971763.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的